雪崩光电二极管 APD 和APD电源 雪崩光电二极管电源
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | APD AD500-9 TO52 | |
| 工作物质： | 半导体 | |
| 波段范围： | 400nm - 1100nm | |
| 品牌/商标： | Silicon Sensor | |
| 种类： | 光学接收器件 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 货期： | 2-6周 | |
| 运转方式： | 连续式 |
valanche photodiodes (APD)
制造商：Silicon Sensor International AG
雪崩光电二极管，具有内部增益机制。在正常的情况下，光子产生电子--空穴对，经外部施加的电压加速，通过碰撞电离将更多的电子引入导带。
二次电子接着吸收足够的能量，将更多的电子移动到导带。从而实现几百倍的放大系数。
APD通常被用于微弱光信号测量，和高调制频率光信号测量。
频率可以达到大约60MHz。雪崩效应产生的噪声等级，比普通的二极管外接电子放大器要低很多。
参考资料：典型应用：激光测距机、激光三维扫描和光通信，此外也开始被用于正电子断层摄影和粒子物理等领域。
主要的几个性能指标为量子效率（表示APD吸收入射光子并产生原始载流子的效率）和总漏电流（为暗电流、光电流与噪声之和）。
紫外光谱范围内应用的APD，400nm处量子效率大于70%，灵敏度在600nm处。通常适用于生物医学应用。
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NIR近红外光谱处应用的APD, 量子效率QE > 80%（750nm-910nm) 主要用于激光雷达系统，激光测距。
根据我们系统开发的使用经验，我们推荐该款APD。提供NIR APD的零售和批发，和应用技术支持。
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NIR-APD参数（20伏，50欧姆，增益系数为100）：
TO-52金属封装，通过ROHS环保评测
上升时间为0.55ns；
-3dB截止频率，500MHz；
击穿电压：160-240伏；
暗电流：0.5nA；
探测器有效面积0.2mm2；
有效区域尺寸：直径0.5mm 。
资料：APD AD500-9 TO52英文手册
选件：
雪崩光电二极管APD专用驱动电源
输入电压 | AC220V | 输入调整范围 | ±10% | 接地方式 | 共地 |
输出电压 | 200V | 输出电压范围 | 0～ 200V | 短路保护 | 限流式保护 |
调节方式 | 电位器调节 | 输出电流 | 1mA | 工作温度 | 0℃～ 65℃ |
输出稳定度 | ﹤0.1% | 时漂/小时 | ﹤0.05% | 温漂/℃ | ﹤0.05% |
负载调整率 | ﹤0.5% | 工作相对湿度 | 20%～90%RH | 表头显示 | 电压、电流表头显示 |
外型尺寸 | 280×230×80㎜仪器式 塑料壳 或 350×305×145㎜仪器式 金属壳 | ||||
备 注 | 1）带有三位半电压表头显示，显示电压200V 2）带有三位半电流表头显示，显示电流1.00mA | ||||
- 所属城市：北京
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