价 格: | 面议 | |
型号/规格: | MT2300 SI2301 SI2306 | |
品牌/商标: | ABB | |
封装形式: | SOT-23 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 |
1.5KE400CA |
SA5.0A |
SA6.5A |
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红外线light emitting diode。 主要以gaas系列材料发展为主,通常以lpe液相磊晶法的方法制作,发光波长从850~940不等。 gap 磷化镓。 磷化镓,是Ⅲ-Ⅴ族(三五族)元素化合的化合物。gap是一种间接迁移型半导体,具有低电流、高效率的发光特性,可发光范围函盖红色至黄绿色,为led主要使用材料之一。 gan 氮化镓。 氮化镓,是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物。gan使movpe制作技术,可制作高亮度纯蓝光led及纯绿光led,更可应用于蓝光、绿光雷射二极管之制作。movpe虽已是一成熟的磊晶制作技术,但以此技术制作gan蓝光led其中仍须相当的知识、经验和技巧 alingap 磷化铝铟镓。 alingap此材料是近年来用在高亮度led之制造上较新的材料,使用movpe磊晶法制程。目前世界上仅有三家厂商供应此产品的公司,即美国hp、日本toshiba、台湾国联光电。 algaas 砷化铝镓。 为gaas和alas的混晶。algaas适合于制造高亮度红光及红外线led,主要以lpe磊晶法量产,但因需制作algaas基板,技术难度高。 反向粘着型薄芯片led reverse mounting type 薄芯片led。 此...