供应2N3904 200-300三极管系列，现货2N3904 T/B 200-300三极管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 2N3904 | |
| 品牌/商标： | GOOD-ARK | |
| 封装形式： | TO-92 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
产品信息：
否提供加工定制： 是 品牌： HT
型号： S3904,S3906 应用范围： 放大
材料： 锗(Ge) 极性： NPN型
击穿电压VCEO： 40（V） 集电极允许电流ICM： 200ma（A）
集电极耗散功率PCM： 0.5（W） 截止频率fT： 300（MHz）
结构： 点接触型 封装形式： -92
封装材料： 树脂封装
本产品性能稳定,质量优越.环保无铅,主要途：电视机，数码相机，ＡＶ设备，汽车音响，手机,通信基础设备，硬盘驱动器，光盘驱动器，电脑主板,和其它电了设备
NPN三极管放大时管子内部的工作原理：
1、发射区向基区发射电子（形成发射极电流）
发射结施加正向电压且掺杂浓度高，所以发射区多数自由电子越过发射结扩散到基区，发射区的自由电子由直流电源补充，从而形成了发射极电流。（同时，基区的多数载流子也会扩散到发射区，成为发射极电流的一部分。由于基区很薄，且掺杂浓度较低，因此由基区多子空穴形成的电流可以忽略不计。）
2、自由电子在基区和空穴复合，形成基区电流，并继续向集电区扩散
自由电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合（基区中的空穴由直流电源补充），扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
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供应2N3055UCTR场效应管，2N3055UCTR场效应管
信息内容：产品信息： 品牌：HT 型号：2N3055UCTR 种类：结型(JFET) 沟道类型：P沟道 导电方式：增强型 封装外形：SMD(SO)/表面封装 材料：MES金属半导体 开启电压：4.5（V） 夹断电压：20（V） 漏极电流：5970（mA） 耗散功率：0.0000032（mW） 场效应管简介： 场效应管(2张) 场效应管属于电压控制元件，这一特点类似于电子管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。 场效应管特点： （1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID； （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。 （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好； （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数； （5）场效应管的抗辐射能力强； （6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。 场效应管
供应BZX84C24CAW二极管，BZX84C24CAW稳压二极管
信息内容：BZX84C24CAW参数： 功耗：200mW 工作温度：-55~150℃ BZX84C系列产品参数(V = 0.9 V ，I = 10 mA，T=25℃) dzsc/19/2489/19248929.jpg 稳压二极管(又叫齐纳二极管)是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压。
