价 格: | 面议 | |
型号/规格: | 全系列 | |
品牌/商标: | GOOD-ARK | |
封装形式: | DO-214AC | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 |
整流二极管的特性
整流二极管是利用PN结的单向导电特性,把交流电变成脉动直流电。整流二极管流电流较大,多数采用面接触性料封装的二极管。整流二极管的外形如图1所示,另外,整流二极管的参数除前面介绍的几个外,还有整流电流,是指整流二极管长时间的工作所允许通过的电流值。它是整流二极管的主要参数,是选项用整流二极管的主要依据。
半导体三极管的三种工作状态
截止状态:当加在三极管发射结的电压小于pn结的导通电压,基极电流为零,集电极电流和发射极电流都为零,三极管这时失去了电流放大作用,集电极和发射极之间相当于开关的断开状态,我们称三极管处于截止状态。
放大状态:当加在三极管发射结的电压大于pn结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态。
饱和导通状态:当加在三极管发射结的电压大于pn结的导通电压,并当基极电流增大到一定程度时,集电极电流不再随着基极电流的增大而增大,而是处于某一定值附近不怎么变化,这时三极管失去电流放大作用,集电极和发射极之间的电压很小,集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
HT1N4004 T/B三极管产品参数 型号:1N4004 品牌:HT 封装:DO-214AC HT贴片三极管产品相关知识 晶体三极管的种类很多,分类方法也有多种。下面按用途、频率、功率、材料等进行分类。 1)按材料和极性分有硅材料的NPN与PNP三极管.锗材料的NPN与PNP三极管。 2)按用途分有高、中频放大管、低频放大管、低噪声放大管、光电管、开关管、高反压管、达林顿管、带阻尼的三极管等。 3)按功率分有小功率三极管、中功率三极管、大功率三极管。 4)按工作频率分有低频三极管、高频三极管和超高频三极管。 5)按制作工艺分有平面型三极管、合金型三极管、扩散型三极管。 6)按外形封装的不同可分为金属封装三极管、玻璃封装三极管、陶瓷封装三极管、塑料封装三极管等。
概述 rectifier diode 整流二极管 一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。通常它包含一个PN结,有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)。这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,如需达到全波整流需连成整流桥使用。