价 格: | 面议 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
型号/规格: | FQP13N50C | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
用途: | A/宽频带放大 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 |
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产品技术参数
典型关断延迟时间 | 130 ns | |
典型接通延迟时间 | 25 ns | |
典型栅极电荷@Vgs | 43 nC V @ 10 | |
典型输入电容值@Vds | 1580 pF V @ 25 | |
安装类型 | 通孔 | |
宽度 | 4.7mm | |
封装类型 | TO-220,TO-220AB | |
尺寸 | 10.1 x 4.7 x 9.4mm | |
引脚数目 | 3 | |
工作温度 | -55 °C | |
功率耗散 | 195000 mW | |
栅源电压 | ±30 V | |
漏源电压 | 500 V | |
漏源电阻值 | 0.48 Ω | |
连续漏极电流 | 13 A | |
工作温度 | 150 °C | |
每片芯片元件数目 | 1 | |
类别 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增强 | |
通道类型 | N | |
配置 | 单 | |
长度 | 10.1mm | |
高度 | 9.4mm |
dzsc/19/2653/19265343.jpgRC0805FR-073K24L产品技术参数制造商:Yageo产品种类:厚膜电阻器 - SMDRoHS:dzsc/19/2653/19265343.jpg详细信息 电阻:3.24 kOhms容差:1 %功率额定值:125 mW (1/8 W)电压额定值:150 V外壳代码 - in:0805外壳代码 - mm:2012端接类型:SMD/SMT温度系数:100 PPM / C系列:RC工作温度范围:- 55 C to 155 C封装:Reel尺寸:1.25 mm W x 2 mm L x 0.5 mm H 封装 / 箱体:0805 (2012 metric) 产品:Thick Film Resistors General Purpose
dzsc/19/2777/19277706.jpgdzsc/19/2777/19277706.jpg Z0103MN产品技术参数安装类型表面贴装宽度3.5mm封装类型SOT-223尺寸6.5 x 3.5 x 1.8mm峰值通态电压1.56V引脚数目4工作温度-40°C保持电流7mA栅极触发电压1.3V栅极触发电流5mA工作温度 125 °C浪涌电流额定值8.5A重复峰值反向电压600V重复峰值断态电流0.005mA重复峰值正向阻断电压600V长度6.5mm高度1.8mm"