SPP07N60S5 Infineon N 沟道增强型MOSFET 7.3A RS#3546363
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 型号/规格： | SPP07N60S5 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | MOS-INM/独立组件 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
N 沟道 MOSFET，6 至 7.49A 系列概览
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MOSFET 和 JFET - N 沟道
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
技术规格
| 产品宽度 | 10mm |
| 产品长度 | 15.4mm |
| 产品高度 | 0.75mm |
| 供应商封装 | TO-220 |
| 典型上升时间 | 40ns |
| 典型下落时间 | 20ns |
| 典型接通时延 | 120ns |
| 典型断开时延 | 170ns |
| 安装 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 工作温度 | 150°C |
| 漏极源极电压 | 600V |
| 漏极源极电阻 | 0.6Ω |
| 连续漏极电流 | 7.3A |
| 门源电压 | ±20V |
| 最小工作温度 | -55°C |
| 每芯片单元数目 | 1 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 通道方式 | 增强功能 |
| 通道类型 | N |
| 配置 | 单路 |
单价（不含税） 个
| 数量 | 单价 |
| 1 | 15.79 |
| 10 | 13.92 |
欧时电子元件（上海）有限公司
公司信息未核实
- 所属城市：上海 上海市
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- 联系人： RS公司
- 电话：021-53599888
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