日本芯片场效应管1N60
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | 1N60 | |
| 品牌/商标： | NEC/日本电气 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
V(BR)DSS 漏源击穿电压 : 600V (VGS = 0V, ID = 250μA)
RDS(on) 静态漏源导通电阻 : 9 Ω (VGS=10V,ID = 0.5A)
VGS(th) 阈值电压 : 3V (VDS = VGS, ID = 250μA)
IDSS 漏源漏电流 : 1μA (VDS = 600V,VGS = 0V)
IGSS 栅源漏电流 : 100nA (VGS =30V)
VSD 源漏正向压降 : 0.85 V (IS=1A, VGS=0V)
gFS 正向跨导 : 0.3S (VDS=40V, ID=0.65A)
磊曜微电子（上海）有限公司
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