参数 |
符号 |
值 |
单位 |
输入电压 |
VIN |
-0.3 to +10 |
V |
结温 |
TJ |
-40 to +85 |
°C |
符号 |
参数 |
条件 |
最小 |
典型 |
|
单位 |
VCC |
输入电压 |
4.25 |
6 |
V |
||
ICC |
输入支持电流 |
充电模式, RPROG= 10K |
190 |
µA |
||
待机模式(充电完成) |
85 |
µA |
||||
关断模式(RPROG 不接,VCC< VBAT, or VCC< VUV) |
12 |
µA |
||||
VFLOAT |
整流输出电压 |
0°C ≤ TJ ≤ 85°C, IBAT= 40mA |
4.2 |
V |
||
IBAT |
BAT 脚电流 |
RPROG= 10K, 充电模式 |
110 |
mA |
||
RPROG= 2K, 充电模式 |
500 |
mA |
||||
待机模式,VBAT= 4.2V |
4 |
µA |
||||
关断模式(RPROG 不接) |
±1 |
µA |
||||
睡眠模式,VCC= 0V |
±1 |
µA |
||||
ITRIKL |
涓流充电电流 |
VBAT< VTRIKL, RPROG= 10K |
12 |
mA |
||
VTRIKL |
涓流隔值电压 |
RPROG= 10K, VBAT 上升 |
2.9 |
V |
符号 |
参数 |
条件 |
最小 |
典型 |
|
单位 |
VUV |
电源低压关断隔值 |
电源从低到高时 |
3.4 |
V |
||
VUVHYS |
电源低压关断滞后电压 |
170 |
mV |
|||
VMSD |
手动关断隔值电压 |
PROG脚电压上升时 |
1.25 |
V |
||
PROG 脚电压下降时 |
1.2 |
V |
||||
VASD |
VCC– VBAT 关断隔值电压 |
电源从低到高时 |
100 |
mV |
||
电源从高到低时 |
30 |
mV |
||||
ITERM |
涓流电流充电时关断隔值电流 |
RPROG= 10K |
0.1 |
mA |
||
RPROG= 2K |
0.1 |
mA |
||||
VPROG |
PROG脚电压 |
RPROG= 10K, 充电 |
1.03 |
V |
||
ICHRG |
CHRG 脚弱下拉电流 |
VCHRG = 5V |
20 |
µA |
||
VCHRG |
CHRG 脚输出低电压 |
ICHRG= 5mA |
0.35 |
V |
||
ΔVRECHRG |
二次电池隔值电压 |
VFLOAT - VRECHRG |
100 |
mV |
||
TLIM |
恒温条件下结温 |
120 |
°C |
|||
tSS |
软启动时间 |
IBAT= 0 to 1000V/RPROG |
100 |
µs |
||
tRECHARGE |
二次充电比较器的滤波器滞后时间 |
VBAT 由高到低 |
2 |
ms |
||
tTERM |
终止充电比较器的滤波器滞后时间 |
IBAT 降至ICHG/10 |
1000 |
µs |
||
IPROG |
PROG脚上拉电流 |
1 |
µA |
MBR30L45CTG |
MBR3100G |
MBR3100RLG |
MBR340G |
MBR340RLG |
MBR350RLG |
MBR360G |
MBR360RLG |
MBR4015CTLG |
MBR4015LWTG |
MBR40250G |
MBR40250TG |
MBR4045PTG |
MBR4045WTG |
MBR40H100WTG |
MBR40L45CTG |
MBR41H100CTG |
MBR6045PTG |
MBR6045WTG |
MBR60H100CTG |
MBR60L45CTG |
MBR60L45WTG |
MBR7030WTG |
MBR735G |
MBR745G |
MBRA120ET3G |
MBRA130LT3 |
MBRA130LT3G |
MBRA140LT3 |
MBRA140LT3G |
MBRA160T3 |
MBRA160T3G |
MBRA210ET3G |
MBRA210LT3G |
MBRA320T3G |
MBRA340T3G |
MBRB1045G |
MBRB1045T4 |
MBRB1045T4G |
MBRB1545CTG |
MBRB1545CTT4 |
MBRB1545CTT4G |
MBRB1645T4G |
MBRB20100CT |
MBRB20100CTG |
MBRB20100CTT4 |
MBRB20100CTT4G |
MBRB20200CT |
MBRB20200CTG |
MBRB20200CTT4 |
MBRB20200CTT4G |
MBRB2060CTG |
MBRB2060CTT4 |
MBRB2060CTT4G |
MBRB20H100CTT4G |
MBRB2515LG |
MBRB2515LT4 |
MBRB2515LT4G |
MBRB2535CTLG |
MBRB2535CTLT4 |
MBRB2535CTLT4G |
MBRB2545CTG |
MBRB2545CTT4G |
MBRB3030CTG |
MBRB3030CTLG |
MBRB3030CTT4G |
MBRB3045CT-1G |
MBRB30H30CT-1G |
MBRB30H60CT-1G |
MBRB30H60CTT4G |
MBRB4030G |
MBRB4030T4G |
MBRB41H100CT-1G |
MBRB41H100CTT4G |
MBRB60H100CTT4G |
MBRB8H100T4G |
MBRD1035CTLG |
MBRD1035CTLT4 |
MBRB1035CTLT4G |
MBRD1045T4G |
MBRS320G |
MBRD320RLG |
MBRD320T4 |
MBRD320T4G |
MBRD330G |
MBRD330RLG |
MBRD330T4G |
MBRD340G |
集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比(基于硅的集成电路)和罗伯特·诺伊思(基于锗的集成电路)。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。 BAS21HT1G BAS21LT1 BAS21LT1G BAS21LT3 BAS21LT3G BAS21SLT1G BAS40-04LT1 BAS40-04LT1G BAS40LT1 BAS40LT1G BAS70-04LT...
L293D 参数 制造商STMicroelectronics 产品种类马达/运动/点火控制器和驱动器 RoHS 类型Driver 工作电源电压4.5 V to 36 V 安装风格Through Hole 封装 / 箱体PowerDIP 封装Tube 25 1N4148-P L293D 参数 制造商STMicroelectronics 产品种类马达/运动/点火控制器和驱动器 RoHS 类型Driver 工作电源电压4.5 V to 36 V 安装风格Through Hole 封装 / 箱体PowerDIP 封装Tube 25 1N4151 1N4448 BA282/BA283 BAS33 BAS34 BAV18 ...