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供应场效应管CS45-12I01 TO-3P

价 格: 面议
型号/规格:CS45-12I01
品牌/商标:SANYO(三洋)
封装形式:TO-3P
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:散装


特点
(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流);
(2)场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。
(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;
(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;
(5)场效应管的抗辐射能力强;
(6)由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低  
 
特点
(1)场效应管是电压控制器件,它通过VGS(栅源电压)来控制ID(漏极电流);
(2)场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。
(3)它是利用多数载流子导电,因此它的温度稳定性较好;
(4)它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数;
(5)场效应管的抗辐射能力强;
(6)由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声,所以噪声低
 

作原理
场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很
dzsc/19/2359/19235902.jpg

  场效应管

大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。
 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


 


RH1C
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ES01
ES1A
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应用指引 稳定性因素 恒流反馈控制环路无需要输出电容就能输出稳定的电压给外接在充电器输出端上的电池。如果没有外接电池,输出应接上一个输出电容以减小纹波电压。当使用容量大,低ESR的陶瓷电容时,在电容上串一个1Ω为佳,当使用钽电容时,无需加串联电阻。 在恒流模式,PROG脚是反馈环路,而不是电池。恒流模式的稳定性受PROG脚的阻抗影响。如没有外加电容在PROG脚上时,当编程电阻高至20KΩ时,充电器仍然能保持稳定;然而,若外加电容在这脚上,允许编程电阻将会被减小。 VCC 旁路电容 很多类型的电容都能作为旁路电容使用,然而,必须谨慎地使用多层陶瓷电容。因为在一定的启动条件下,电容受到高压瞬态冲击,某些陶瓷电容将会产生自振。例如当连接充电器至一个波动的电源上时,就会发生如上情况。串一个1.5Ω电阻在电容上能大大减小启动时的冲击电压。 耗散功率 通过热反馈减小充电电流的条件可以近似地估算IC耗散的功率。几乎所有的功率损耗都是由内部的MOSFET产生的,这个近似的计算公式如下式: PD = (VCC – VBAT) · IBAT 热保护时IC周围的温度是: ...

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