价 格: | 面议 | |
型号/规格: | A42 100-200 | |
品牌/商标: | GOOD-ARK | |
封装形式: | TO-92 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 |
产品信息:
类型:其他IC 品牌:HT 型号:A42
封装:TO-92 产品类型:其他
三极管开关输出特性曲线
输出特性曲线是栅源电压UGS取不同定值时,漏极电流ID 随漏源电压UDS 变化的一簇关系曲线,如图Z0124所示。由图可知,各条曲线有共同的变化规律。UGS越负,曲线越向下移动)这是因为对于相同的UDS,UGS越负,耗尽层越宽,导电沟道越窄,ID越小。
由图还可看出,输出特性可分为三个区域即可变电阻区、恒流区和击穿区。"
◆可变电阻区:预夹断以前的区域。其特点是,当0<UDS<|VP|时,ID几乎与UDS呈线性关系增长,UGS愈负,曲线上升斜率愈小。在此区域内,场效应管等效为一个受UGS控制的可变电阻。
◆恒流区:图中两条虚线之间的部分。其特点是,当UDS>|VP|时,ID几乎不随UDS变化,保持某一恒定值。ID的大小只受UGS的控制,两者变量之间近乎成线性关系,所以该区域又称线性放大区。
◆击穿区:右侧虚线以右之区域。此区域内UDS>BUDS,管子被击穿,ID随UDS的增加而急剧增加。
产品信息: 是否提供加工定制: 否 品牌: HT 型号: 8050SS 封装: TO-92 类型: 其他IC 封装:原厂原包 漏源电压UGS对漏极电流ID的影响(设UGS=0) 当UGS=0时,显然ID=0;当UDS>0且尚小对,P+N结因加反向电压,使耗尽层具有一定宽度,但宽度上下不均匀,这是由于漏源之间的导电沟道具有一定电阻,因而漏源电压UDS沿沟道递降,造成漏端电位高于源端电位,使近漏端PN结上的反向偏压大于近源端,因而近漏端耗尽层宽度大于近源端。显然,在UDS较小时,沟道呈现一定电阻,ID随UDS成线性规律变化(如图Z0124曲线OA段);若UGS再继续增大,耗尽层也随之增宽,导电沟道相应变窄,尤其是近漏端更加明显。由于沟道电阻的增大,ID增长变慢了(如图曲线AB段),当UDS增大到等于|VP|时,沟道在近漏端首先发生耗尽层相碰的现象。这种状态称为预夹断。这时管子并不截止,因为漏源两极间的场强已足够大,完全可以把向漏极漂移的全部电子吸引过去形成漏极饱和电流IDSS (这种情况如曲线B点):当UDS>|VP|再增加时,耗尽层从近漏端开始沿沟道加长它的接触部分,形成夹断区 。由于耗尽层的电阻比沟道电阻大得多,所以比|VP|大的那部分电压基本上降在夹...
产品信息: 类型:其他IC 品牌:HT 型号:8050SD 封装:原厂原包 三极管开关工作原理: N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同,只是偏置电压的极性和载流子的类型不同而已。下面以N沟道结型场效应管为例来分析其工作原理。电路如图Z0123所示。由于栅源间加反向电压,所以两侧PN结均处于反向偏置,栅源电流几乎为零。漏源之间加正向电压使N型半导体中的多数载流子-电子由源极出发,经过沟道到达漏极形成漏极电流ID。