价 格: | 面议 | |
型号/规格: | 78L05 | |
品牌/商标: | GOOD-ARK | |
封装形式: | TO-92 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 |
产品信息:
类型:其他IC 型号:78L05 批号:11+
品牌:ST/意法 封装:TO-92
三极管的主要参数
1.电流放大系数
共发射极电流放大系数
(1)共发射极直流电流放大系数 ,它表示三极管在共射极连接时,某工作点处直流电流IC与IB的比值,当忽略ICBO时
(2)共发射极交流电流放大系数β它表示三极管共射极连接、且UCE恒定时,集电极电流变化量ΔIC与基极电流变化量ΔIB之比,即管子的β值大小时,放大作用差;β值太大时,工作性能不稳定。因此,一般选用β为30~80的管子。
2.共基极电流放大系数
共基极直流电流放大系数它表示三极管在共基极连接时,某工作点处IC 与 IE的比值。在忽略ICBO的情况下
(2)共基极交流电流放大系数α,它表示三极管作共基极连接时,在UCB 恒定的情况下,IC和IE的变化量之比,即:通常在很小时, 与β, 与α相差很小,因此,实际使用中经常混用而不加区别。
产品信息: 型号: A92 T/B 品牌:GOOD-ARK 种类: 集成电路(IC) 三极管内部载流子的运动规律 在发射结正偏、集电结反偏的条件下,三极管内部载流子的运动,可分为3个过程,下面以NPN型三极管为例来讨论(共射极接法)。 1.发射区向基区注入载流子的过程 由于发射结外加正向电压,发射区的电子载流子源源不断地注入基区,基区的多数载流子空穴,也要注入发射区。如图Z0116所示,二者共同形成发射极电流IE。但是,由于基区掺杂浓度比发射区小2~3个数量级,注入发射区的空穴流与注入基区的电子流相比,可略去。 dzsc/19/2343/19234335.jpg 2. 载流子在基区中扩散与复合的过程 由发射区注入基区的电子载流子,其浓度从发射结边缘到集电结边缘是逐渐递减的,即形成了一定的浓度梯度,因而,电子便不断地向集电结方向扩散。由于基区宽度制作得很小,且掺杂浓度也很低,从而大大地减小了复合的机会,使注入基区的95%以上的电子载流子都能到达集电结。故基区中是以扩散电流为主的,且扩散与复合的比例决定了三极管的电流放大能力。 3.集电区收集载流子的过程 集电结外加较大的反向电...
产品信息: 型号: A92 品牌:GOOD-ARK 种类: 集成电路(IC) 三极管内部载流子的运动规律 载流子在基区中扩散与复合的过程 由发射区注入基区的电子载流子,其浓度从发射结边缘到集电结边缘是逐渐递减的,即形成了一定的浓度梯度,因而,电子便不断地向集电结方向扩散。由于基区宽度制作得很小,且掺杂浓度也很低,从而大大地减小了复合的机会,使注入基区的95%以上的电子载流子都能到达集电结。故基区中是以扩散电流为主的,且扩散与复合的比例决定了三极管的电流放大能力。