价 格: | 面议 | |
型号/规格: | 1N4001 M1 | |
品牌/商标: | GOOD-ARK | |
封装形式: | DO-41 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 |
1N4001/M1产品详细说明:
型号/规格M1/1N4001
品牌/商标:HT
封装形式214
环保类别无铅环保型
安装方式贴片式
包装方式卷带编带包装
功率特性中功率
频率特性中频
整流电流20
反向击穿电流1
电极和管型的判别目测法:
管型的判别 一般,管型是NPN还是PNP应从管壳上标注的型号来辨别。依照部分标准,三极管型号的第二位(字母),A、C表示PNP管,B、D表示NPN管(A、B表示锗管(Ge),C、D表示硅管(Si)),例如:3AX 为PNP型低频小功率管(Ge) 3BX 为NPN型低频小功率管(Ge) 3CG 为PNP型高频小功率管(Si) 3DG 为NPN型高频小功率管(Si) 3AD 为PNP型低频大功率管(Ge) 3DD 为NPN型低频大功率管(Si) 3CA 为PNP型高频大功率管(Si) 3DA 为NPN型高频大功率三级管(Si) 此外有国际流行的9011~9018系列高频小功率管,除9012和9015为PNP管外,其余均为NPN型管。
NPN三极管放大时管子内部的工作原理: 1、发射区向基区发射电子(形成发射极电流) 发射结施加正向电压且掺杂浓度高,所以发射区多数自由电子越过发射结扩散到基区,发射区的自由电子由直流电源补充,从而形成了发射极电流。(同时,基区的多数载流子也会扩散到发射区,成为发射极电流的一部分。由于基区很薄,且掺杂浓度较低,因此由基区多子空穴形成的电流可以忽略不计。) 2、自由电子在基区和空穴复合,形成基区电流,并继续向集电区扩散 自由电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合(基区中的空穴由直流电源补充),扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。 3、集电区收集自由电子,形成集电极电流 由于集电结加反向电压且面积很大,这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流,用Icb...
13001三极管测量方法: NPN型,用电阻档,B脚连红色表笔,E脚连黑色表笔,看下通不通, 通是好的;反过来,红色表笔连E脚 黑色表笔连B脚,不通是好的。 再看下 C B脚正反通不通,C E脚正反通不通。P->N通 ,N->P不通 13001三极管工作原理: 晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N表示在高纯度硅中加入磷,是指取代一些硅原子,在电压刺激下产生自由电子导电,而p是加入硼取代硅,产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 对于NPN管,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。