SMD5032产品详细参数:
频率范围:8.0 ~ 100 MHz
频率公差(25℃)± 10ppm± 30 ppm, or specify
在工作温度范围内的频率稳定度:± 10ppm± 30 ppm, or specify
工作温度范围:- 20 ~ +70 oC, or specify
并联电容(C0):7 pF Max.
驱动级:1~200μW(100μW typical)
负载电容:Series, 9 pF, 12 pF, 15 pF, 20pF, or specify
老化(25℃):± 3 ppm / year Max.
储存温度范围:- 40 ~ + 85 oC
电阻(ESR):
Fundamental
3rd Overtone
8~ 12 MHz
100 Ω Max.
40 ~ 60 MHz
120 Ω Max.
12 ~ 48 MHz
40 Ω Max.
60 ~ 100 MHz
80 Ω Max.
石英晶振的动态电容计算公式:
SMD 6035产品详细参数: 频率范围:7.0 ~ 100 MHz 频率公差(25℃)± 10ppm± 30 ppm, or specify 在工作温度范围内的频率稳定度:± 10ppm± 30 ppm, or specify 工作温度范围:-20 ~ +70 oC, or specify 并联电容(C0):7 pF Max. 驱动级:1 ~ 200μW (100μW typical) 负载电容:Series, 16 pF, 20 pF, 30 pF, 32 pF, or specify 老化(25℃):± 3 ppm / year Max. 储存温度范围:- 40 ~ + 85 oC 石英晶振的动态电容计算公式: 动态电容(C1):等效电路中动态臂里的电容。它的大小主要取决于电极面积,另外还和晶片平行度、微调量的大小有关。 它的常用公式为: C1=KC1×Ae×F0+C常数 KC1——电容常数;Ae——电极面积,单位mm2;F0——标称频率,单位KHz;C常数——常数,单位PF;
SMD 7050产品详细参数: 频率范围:6.0~ 100 MHz 频率公差(25℃)±10ppm±30 ppm, or specify 在工作温度范围内的频率稳定度)±10ppm±30 ppm, or specify 工作温度范围:- 20 ~ +70 oC, or specify 并联电容(C0):7 pF Max. 驱动级:1 ~ 200μW(100μW typical) 负载电容:Series, 16 pF, 20 pF, 30 pF, 32 pF, or specify 老化(25℃):± 3 ppm / year Max. 储存温度范围:- 40 ~ + 85 oC 晶振的寄生影响: 所有晶体元件除了主响应(需要的频率)之外,还有其它的频率响应。减弱寄生响应的办法是改变晶片的几何尺寸、电极,以及晶片加工工艺,但是同时会改变晶体的动、静态参数。