价 格: | 面议 | |
型号/规格: | MMBZ5228BW | |
品牌/商标: | GOOD-ARK | |
封装形式: | SOT-323 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 散装 |
MMBZ5228BW稳压二极管参数:
表面材料:硅
功耗:200mW
工作温度:-65℃~150℃
MMBZ52系列稳压二极管属性(I=10mA:V<0.9v):
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二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode),另外,还有早期的真空电子二极管;它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的转导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。
产品信息: 加工定制: 是 品牌:GOOD-ARK 型号: 78L09 应用范围: 放大 材料: 硅(Si) 极性: NPN型 击穿电压VCEO: 5(V) 集电极允许电流ICM: 5(A) 集电极耗散功率PCM: 5(W) 截止频率fT: 5(MHz) 结构: 面接触型 封装形式: 贴片型 封装材料: 陶瓷封装 三极管的主要参数之一 极限参数 1.允许集电极耗散功率PCM PCM 是指三极管集电结受热而引起晶体管参数的变化不超过所规定的允许值时,集电极耗散的功率。当实际功耗Pc大于PCM时,不仅使管子的参数发生变化,甚至还会烧坏管子。PCM可由下式计算: PCM =ICUCE GS0126 当已知管子的PCM 时,利用上式可以在输出特性曲线上画出PCM 曲线。 2.允许集电极电流ICM 当IC很大时,β值逐渐下降。一般规定在β值下降到额定值的2/3(或1/2)时所对应的集电极电流为ICM当IC>ICM时,β值已减小到不实用的程度,且有烧毁管子的可能。 3.反向击穿电压BVCEO与BVCEO BVCEO是指基极开路时,集电极与发射极间的反向击穿电压。 BVCBO是指发射极开路时,集电极与基极间的反向击穿电压。一般情况下同一管子...
MMBZ5243BW稳压二极管参数: 表面材料:硅 功耗:200mW 工作温度:-65℃~150℃ 封装:SOT-323 MMBZ52系列稳压二极管属性(I=10mA:V<0.9v): dzsc/19/2309/19230959.jpg 二极管按构造分类: 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体二极管分类如下: 点接触型二极管 点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。因此,其PN结的静电容量小,适用于高频电路。但是,与面结型相比较,点接触型二极管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大电流和整流。因为构造简单,所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言,它是应用范围较广的类型。 键型二极管 键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较,虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加,但正向特性特别优良。多作开关用...