供应稳压管STZ8051，生产稳压二极管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | STZ8051 | |
| 品牌/商标： | GOOD-ARK | |
| 封装形式： | SOD-323 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 散装 |
STZ8051稳压二极管特性：
表面材料：硅
功耗：300mW
封装：SOD-323
结点温度：150℃
存储温度范围：-55℃~150℃
STZ8000系列稳压二极管的参数（T=25℃）：
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什么是稳压二极管？
稳压二极管(又叫齐纳二极管、稳压管)是一种用于稳定电压的单PN结二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很少的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。
稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压。
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供应STZ8068B稳压二极管，生产稳压二极管
信息内容：STZ8068B稳压二极管特性： 表面材料：硅 功耗：300mW 封装：SOD-323 结点温度：150℃ 存储温度范围：-55℃~150℃ STZ8000系列稳压二极管的参数（T=25℃）： dzsc/19/2309/19230900.jpg 二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。 ...
供应稳压二极管STZ8082，二极管STZ8082
信息内容：STZ8082稳压二极管特性： 表面材料：硅 功耗：300mW 封装：SOD-323 结点温度：150℃ 存储温度范围：-55℃~150℃ STZ8000系列稳压二极管的参数（T=25℃）： dzsc/19/2309/19230910.jpg 二极管击穿有哪3种情况？ 二极管的击穿通常有三种情况，即雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。 （1）雪崩击穿 对于掺杂浓度较低的PN结，结较厚，当外加反向电压高到一定数值时，因外电场过强，使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞，将原子电离，产生新的电子空穴对，由于链锁反应的结果，使少数载流子数目急剧增多，反向电流雪崩式地迅速增大，这种现象叫雪崩击穿。雪崩击穿通常发生在高反压、低掺杂的情况下。 （2）齐纳击穿 对于采用高掺杂（即杂质浓度很大）形成的PN结，由于结很薄（如0.04μm）即使外加电压并不高（如4V），就可产生很强的电场将结内共价键中的价电子拉出来，产生大量的电子一空穴对，使反向电流剧增，这种现象叫齐纳击穿（因齐纳研究而得名）。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。 （3）热击穿...
