供应BAV70 A4二极管，优质BAV70 A4二极管厂家特卖
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BAV70 A4 | |
| 品牌/商标： | GOOD-ARK | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
产品详情：
类型：稳压IC 品牌：GOOD-ARK 型号：BAV70 A4
封装：SOT23 产品类型：其他
二极管的反向击穿
齐纳击穿
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。
雪崩击穿
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结性损坏。
- 所属城市：广东 广州
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 曾向奔
- 电话：020-83182723
- 传真：020-83389441
- 手机：13928786606
- QQ ：
哪里AO3423 AS1T二极管好，AO3423 AS1T二极管特价供应
信息内容：产品信息： 品牌：GOOD-ARK 型号： AO3423 AS1T 种类： 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型： N沟道 导电方式： 增强型 用途： MOS-FBM/全桥组件 封装外形： SMD(SO)/表面封装 材料： N-FET硅N沟道 开启电压： 1（V） 夹断电压： 1（V） 跨导： 1（μS） 极间电容： 1（pF） 低频噪声系数： 1（dB） 漏极电流： 1（mA） 耗散功率： 1（mW） 营销方式：厂家直销 产品性质:热销 定义： 二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。
供应BAT54S KL4二极管，BAT54S KL4二极管
信息内容：产品详情： 型号： BAT54S KL4 材料： 硅(Si) 品牌：GOOD-ARK 应用范围： 放大 二极管正向性 外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。 二极管反向性 外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。
