价 格: | 面议 | |
型号/规格: | 2N5401 100-200 | |
品牌/商标: | GOOD-ARK | |
封装形式: | TO-92 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 |
三极管发明人
1947年12月23日,美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里,3位科学家——巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体管把声音信号放大的实验。3位科学家惊奇地发现,在他们发明的器件中通过的一部分微量电流,竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流,因而产生了放大效应。这个器件,就是在科技史上具有划时代意义的成果——晶体管。因它是在圣诞节前夕发明的,而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响,所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。另外,这3位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。 晶体管促进并带来了“固态革命”,进而推动了全球范围内的半导体电子工业。作为主要部件,它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用,并产生了巨大的经济效益。由于晶体管彻底改变了电子线路的结构,集成电路以及大规模集成电路应运而生,这样制造像高速电子计算机之类的高精密装置就变成了现实。
三极管的作用
晶体三极管,是最常用的基本元器件之一,晶体三极管的作用主要是电流放大,他是电子电路的核心元件,现在的大规模集成电路的基本组成部分也就是晶体三极管。
三极管基本机构是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种, 从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里;NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。
定义: 二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode),另外,还有早期的真空电子二极管;它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的转导性。一般来讲,晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。 公司简介: 苏州固锝电子股份有限公司是苏州市区家外资股份制企业。固锝公司,世界的二极管生产商之一,每月产量可达250,000,000只,占世界产量的8-9%,我们的GPP(玻璃钝化)园晶粒在二十一个国家获得了专利。产品92%出口,远销43个国家和地区,现拥有3000多个客户。 固锝公司在中国整流器行业中是获得ISO-9002国际认证的企业,在公司管理上建立了管理信息体系,从订单接收、生产安排(MRP-II),再到履行交货,我们所提供的一切服务都是由电脑控制的。这样,使产品品质及准时交货得到了有效的保证。 公司主营:半导体分立器...
一、小功率贴片二极管参数: 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(): 200mA 电压 - 集电极发射极击穿(): 40V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 300mV @ 5mA, 50mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V 功率 - : 350mW 频率 - 转换: 300MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商设备封装: SOT-23 包装: 剪切带 (CT) 二、肖特基二极管: 基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间trr特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。