供应SOD贴片三极管，代理SOD贴片三极管，价格优惠
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMBT3904 | |
| 品牌/商标： | ST（意法半导体） | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 |
SOD贴片三极管产品参数
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)（） 200mA
电压 - 集电极发射极击穿（） 40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（） 300mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（） -
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 100 @ 10mA，1V
功率 - 350mW
频率 - 转换 300MHz
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装 SOT-23
包装 带卷 (TR)
SOD贴片三极管相关知识
半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极B、发射极E和集电极C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。
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供应SOD贴片二极管，肖特基二极管B5817WS
信息内容：SOD贴片二极管产品参数 二极管类型： 肖特基 电压 - (Vr)（）： 20V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（）： 450mV @ 1A 速度 快速恢复： =< 500 ns，> 200mA（Io） 反向恢复时间(trr) - 电流 - 在 Vr 时反向漏电 1mA @ ：20V 电容@ Vr, F - 安装类型： 表面贴装 封装/外壳： SC-76，SOD-323 供应商设备封装： SOD-323 包装： 带卷 (TR) SOD贴片二极管相关知识 肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
供应PHILOP贴片三极管,贴片三极管SI2301
信息内容：PHILOP贴片三极管SI2301产品参数 FET 型： MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 特点： 逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss)： 20V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 2.8A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ：120 毫欧 @ 2.8A，4.5V Id 时的 Vgs(th)（） 450mV @ 250?A 闸电荷(Qg) @ Vgs： 14.5nC @ 4.5V 输入电容 (Ciss) @ Vds ：880pF @ 6V 功率 - ： 1.25W 安装类型：表面贴装 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装： SOT-23 包装： 剪切带 (CT) 相关知识 晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发...
