价 格: | 面议 | |
型号/规格: | MM1Z6V8 | |
品牌/商标: | GOOD-ARK | |
封装形式: | SMD | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 |
产品:硅平面稳压二极管
型号:MM1Z6V8
P:500mW
结点温度:150℃
贮存温度:-55 -150℃
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MM1Z6V8击穿特性
【稳压管的应用】
1、浪涌保护电路:稳压管在准确的电压下击穿,这就使得它可作为限制或保护之元件来使用,因为各种电压的稳压二极管都可以得到,故对于这种应用特别适宜.图中的稳压二极管D是作为过压保护器件。只要电源电压VS超过二极管的稳压值D就导通,使继电器J吸合负载RL就与电源分开。
2、电视机里的过压保护电路:EC是电视机主供电压,当EC电压过高时,D导通,三极管BG导通,其集电极电位将由原来的高电平(5V)变为低电平,通过待机控制线的控制使电视机进入待机保护状态。
3、电弧抑制电路:在电感线圈上并联接入一只合适的稳压二极管(也可接入一只普通二极管原理一样)的话,当线圈在导通状态切断时,由于其电磁能释放所产生的高压就被二极管所吸收,所以当开关断开时,开关的电弧也就被消除了。这个应用电路在工业上用得比较多,如一些较大功率的电磁吸控制电路就用到它。
4、串联型稳压电路:在此电路中,串联稳压管,BG的基极被稳压二极管D钳定在13V,那么其发射极就输出恒定的12V电压了。这个电路在很多场合下都有应用。
产品:硅平面稳压二极管 型号:MM1Z3V0 P:500mW 结点温度:150℃ 贮存温度:-55 -150℃ 稳压二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。这样,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生波动,或其它原因造成电路中各点电压变动时,负载两端的电压将基本保持不变。稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示,如:ZD5表示编号为5的稳压管。 【稳压管的应用】 1、浪涌保护电路:稳压管在准确的电压下击穿,这就使得它可作为限制或保护之元件来使用,因为各种电压的稳压二极管都可以得到,故对于这种应用特别适宜.图中的稳压二极管D是作为过压保护器件。只要电源电压VS超过二极管的稳压值D就导通,使继电器J吸合负载RL就与电源分开。 2、电视机里的过压保护电...
产品:表面安装肖特基势垒二极管 型号:BAT43WS VRRM:30V P:200mW 贮存温度:-55 -125℃ dzsc/19/2286/19228656.jpg BAT43WS封装 肖特基二极管SBD(Schottky Barrier Diode),又称为金属-半导体二极管,是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。SBD用某些金属和半导体相接触,在它们的交界面处便会形成一个势垒区(通常称为“表面势垒”或“肖特基势垒”),产生整流,检波作用。其金属层除钨材料外,还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓,多为N型半导体。 这种器件是由多数载流子导电的,所以,反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微,所以其频率响应仅被RC时间常数限制,因而,它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且,MIS(金属-绝缘体-半导体)肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。肖特基势垒二极管的正向导通压降仅0.4V左右,而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。