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FAIRCHILD FDV303N 场效应管 MOSFET N

价 格: 面议
封装外形:SMD(SO)/表面封装
型号/规格:FDV303N
用途:A/宽频带放大
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
导电方式:增强型
属性:属性值

  • 场效应管 MOSFET N
    DIGITAL SOT-23
  • 晶体管极性:N沟道
  • 电流, Id 连续:
    680mA
  • 电压, Vds :
    25V
  • 在电阻RDS(上):
    600mohm
  • 电压 @ Rds测量:
    2.7V
  • 阈值电压, Vgs th
    典型值:
    800mV
  • 功耗, Pd:
    350mW
  • 工作温度敏:-55°C
  • 工作温度:
    150°C
  • 封装类型:SOT-23
  • 针脚数:3
  • SMD标号:303
  • 击穿电压, ESD:
    6kV
  • 功率, Pd:
    350mW
  • 功耗:350mW
  • 外宽:3.05mm
  • 外部深度:2.5mm
  • 外部长度/高度:
    1.12mm
  • 封装类型:SOT-23
  • 工作温度范围:
    -55°C 到 150°C
  • 带子宽度:8mm
  • 晶体管数:1
  • 温度 @ 电流测量:
    25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 漏极电流, Id
    值:
    680mA
  • 电压 Vgs @ Rds on
    测量:
    4.5V
  • 电压, Vds 典型值:
    25V
  • 电压, Vgs :
    800mV
  • 电流, Idm 脉冲:
    2A
"

深圳市佰昇电子有限公司
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信息内容:

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