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供应超低功耗MMA253F,TMR磁传感器芯片超低功耗MMA253F|应用解决方案

价 格: 面议
型号/规格:MMA253F
品牌/商标:MDT

  多维科技主营范围:TMR磁传感器芯片(包括线性传感器、角度传感器、开关传感器、金融磁头、电流传感器等)及其应用解决方案。

 

角度传感器MMA253F的产品参数:  

极限参数


参数

符号

限值

单位

工作电压

VCC

7

V

存储温度

Tstg

-40 ~ 105

°C

工作磁场

B

3000

Oe(1)

ESD (HBM)

4000

V


性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 , 差分输出 )

 


参数

符号

条件

最小值

典型值

单位

工作电压

VCC

TA = 25°C

1

5

V

工作电流

ICC

TA = 25°C

3.6(2)

μA

电阻

R

TA = 25°C

280(3)

kOhm

输出范围

VOUT

TA = 25°C

1030

mV/V

 偏移电压(4)

VOQ

T= 25°C

-10


10

mV/V

TCOV(5)

Operating

-970

PPM/°C

工作磁场

B

Operating

100

400

Oe

角度误差

E

Operating

+/-2.5

Degree

使用温度

TA

Operating

-40

85

°C


注:

11 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m

2ICC = VCC/R工作电流随工作电压呈线性关系变化。

3)电阻值有多种选择,详情请咨询多维科技有限公司。

4)偏移电压:角度为零时,传感器输出电压(正余弦模式)

5TCOV:在恒定工作电压下,输出信号随温度变化的百分比。

  角度传感器MMA253F的概述
  通常,在角度传感器的应用场合下,在MMA253F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场,芯片输出与磁场角度成正弦和余弦关系的电压信号。MMA253F采用两个独特的推挽式惠斯通电桥结构设计,每个惠斯通电桥包含四个高灵敏度TMR传感元件,使得其输出信号的峰峰值可达工作电压的90%,从而省去了许多应用中所需要的外部信号放大处理电路。此外,独特的TMR惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。MMA253F性能优越,采用超小型LGA8封装形式,尺寸仅为3.0mm×3.0mm×0.95mm。

江苏多维科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:江苏 苏州
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