供应水表专用传感器，优质传感器MMS105H全系列
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMS105H | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、接近开关：
接近开关又称无触点开关，可以完成行程控制和限位保护，是一种非接触型的检测装置，用作检测距离和测速等。利用霍尔传感器做成的接近开关，当磁性物体移近霍尔开关时，开关检测面上的霍尔元件由于霍尔效应而使开关内部电路状态发生变化，由此来判断物体。由于霍尔元件信号范围小，灵敏度低，对于长距离不敏感。TMR磁传感器的特性，刚好解决了霍尔元件的灵敏度低等缺点，用TMR磁传感器做成的接近开关可以应用在长距离检测和特殊环境的测速。
二、应用方案特点
1.极高的频率响应（可以直接测量叶轮转速）
2. 极低的功耗（满足流量计低功耗需求）
3.极高的灵敏度（可减少叶轮磁钢磁场强度，降低对安装位置的要求）
4.标准的高低电平方波输出（可直接连接处理器，提高系统的可靠性）
5. 锁存式工作方式（有效避免叶轮抖动问题）
6.极低的起始流量测量（可以测量微小流量）
7.良好的抗磁干扰能力（可降低磁屏蔽的要求）
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供应隧道磁电阻传感器，开关传感器厂家热销
信息内容：一、产品简介： 基于电子的自旋效应，在磁性钉扎层和磁性自由层中间间隔有绝缘体或半导体的非磁层的磁性多层膜结构，由于在磁性钉扎层和磁性自由层之间的电流通过基于电子的隧穿效应，因此称这一多层膜结构称为磁性隧道结。这种磁性隧道结在横跨绝缘层的电压作用下，其隧道电流和隧道电阻依赖于两个铁磁层（磁性钉扎层和磁性自由层）磁化强度的相对取向。当磁性自由层在外场的作用下，其磁化强度方向改变，而钉扎层的磁化方向不变，此时两个磁性层的磁化强度相对取向发生改变，则可在横跨绝缘层的的磁性隧道结上观测到大的电阻变化，这一物理效应正是基于电子在绝缘层的隧穿效应，因此称为隧道磁电阻效应也就是说TMR磁传感器是利用磁场的变化来引起磁电阻变化，另一方面，我们可以通过观测TMR磁传感器的电阻变化来测量外磁场的变化。 二、AMR工作原理 单磁层器件 平行磁场感应 1～3% △R/R 工作在45°偏角 电流在薄膜平面流动 工作场范围窄 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来电选购或咨询，多维科技欢迎您！
供应开关传感器，笔记本电脑MMS105H传感器
信息内容：一、产品简介： 基于电子的自旋效应，在磁性钉扎层和磁性自由层中间间隔有绝缘体或半导体的非磁层的磁性多层膜结构，由于在磁性钉扎层和磁性自由层之间的电流通过基于电子的隧穿效应，因此称这一多层膜结构称为磁性隧道结（MTJ, Magnetic Tunnel Junction）。这种磁性隧道结在横跨绝缘层的电压作用下，其隧道电流和隧道电阻依赖于两个铁磁层（磁性钉扎层和磁性自由层）磁化强度的相对取向。当磁性自由层在外场的作用下，其磁化强度方向改变，而钉扎层的磁化方向不变，此时两个磁性层的磁化强度相对取向发生改变，则可在横跨绝缘层的的磁性隧道结上观测到大的电阻变化，这一物理效应正是基于电子在绝缘层的隧穿效应，因此称为隧道磁电阻效应（TMR ，Tunneling Magnetoresistance ）。也就是说TMR磁传感器是利用磁场的变化来引起磁电阻变化，另一方面，我们可以通过观测TMR磁传感器的电阻变化来测量外磁场的变化。 二、极限参数 参数 符号 额定值 单位 工作电压 VCC 6 V 工作电流 ICC 20 μA 输出电压 VOUT 6 V 输出电流 IOUT 30 mA 使用...
