IR原装,MOS-TPBM场效应管,IR
| 价 格： | 2.50 | |
| 品牌/型号： | IR | |
| 种类： | 结型JFET | |
| 用途： | MOS-TPBM/三相桥 | |
| 封装外形： | SMDSO/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 350（V） | |
| 夹断电压： | 280（V） | |
| 低频跨导： | 1（μS） | |
| 极间电容： | 1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 1（dB） | |
| 漏极电流： | 1（mA） | |
| 耗散功率： | 25（mW） | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
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东莞市宗强电子科技有限公司
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