供应BTB封装系列的双向可控硅
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | BTBXX | |
| 品牌/商标： | Semiwill |
BTB封装为TO-220B封装，是一种非绝缘封装
可控硅元件优点很多，但是它过载能力差，短时间的过流，过压都会造成元件损坏，因此为保证元件正常工作，需有条件(1)外加电压下允许超过正向转折电压，否则控制极将不起作用；(2)可控硅的通态平均电流从安全角度考虑一般按电流的1.5～2倍来取；(3)为保证控制极可靠触发，加到控制极的触发电流一般取大于其额值，除此以外，还必须采取保护措施，一般对过流的保护措施是在电路中串入快速熔断器，其额定电流取可控硅电流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流侧或直流侧，当在交流侧时额定电流取大些，一般多采用前者，过电压保护常发生在存在电感的电路上，或交流侧出现干扰的浪涌电压或交流侧的暂态过程产生的过压。由于，过电压的尖峰高，作用时间短，常采用电阻和电容吸收电路加以抑制。
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供应SEMIWILL高品质-4N60-MOS管-场效应管-MOSFET
信息内容：4N60-MOS管-场效应管-MOSFET 概述 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 产品特性： 热阻低、开关速度快、输入阻抗高、符合RoHS规范 主要参数： 漏-源电压VDS≥600V 漏极电流ID=4A 导通电阻RDS≤2.2ohm 包装方式 管装 应用领域 电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等 SEMIWILL为您提供全系列的MOS场效应管产品，按照封装形式，可以分为：TO-251、TO-126、TO-220、TO-220F、TO-3P、TO-247等插件封装形式和TO-252、TO-263等贴片封装形式。关注SEMIWILL产品和服务信息，请关注SEMIWILL网站：http://www.semiwill.com
供应SEMIWILL高品质-CS730-MOS管-场效应管-MOSFET
信息内容：CS730-MOS管-场效应管-MOSFET 概述 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 产品特性： 热阻低、开关速度快、输入阻抗高、符合RoHS规范 主要参数： 漏-源电压VDS≥400V 漏极电流ID=5.5A 导通电阻RDS≤1ohm 包装方式 管装 应用领域 电子镇流器、电子变压器、逆变器、电动车充电器、开关电源等 SEMIWILL为您提供全系列的MOS场效应管产品，按照封装形式，可以分为：TO-251、TO-126、TO-220、TO-220F、TO-3P、TO-247等插件封装形式和TO-252、TO-263等贴片封装形式。关注SEMIWILL产品和服务信息，请关注SEMIWILL网站：http://www.semiwill.com
