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场效应管 MOSFET N沟道 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 7.8A 电压, Vds : 800V 在电阻RDS(上): 1.2ohm 电压 @ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th 典型值: 4V 功耗, Pd: 190W 工作温度敏: -55°C 工作温度: 150°C 封装类型: TO-247AC 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 封装类型: TO-247AC 工作温度范围: -55°C 到 150°C 漏极电流, Id 值: 7.8A 电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V 电压, Vds 典型值: 800V 电压, Vgs : 20V 表面安装器件: 通孔
面板母插座 6路 连接器类型: 圆形工业 系列: RM 连接器主体材料: Brass 公/母: 插座 接触极性: 母 连接器的安装: 面板 连接器外壳尺寸: 12 插芯排列: 12-6 触点数: 6 接触端子: 焊接 接触材料: 铜 接触镀层: 含银 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012) 主体镀层: 镍 单平面板开孔直径: 14.1mm 安装类型: 面板 工作电压: 350V 接触电阻: 4mohm 材料: 压铸锌 绝缘电阻: 1000Mohm 连接器内芯类型: 12-6 阻燃性等级: UL94V-0 额定电压, 交流: 350V 额定电流: 5A