价 格: | 面议 | |
品牌/型号: | 进口原装/2N60,4N60, 5N60,10N60,12N60 | |
种类: | 结型JFET | |
用途: | MOS-INM/独立组件 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | SENSEFET电流敏感 | |
开启电压: | 332(V) | |
夹断电压: | 22(V) | |
跨导: | 22(μS) | |
极间电容: | 233(pF) | |
低频噪声系数: | 233(dB) | |
漏极电流: | 32(mA) | |
耗散功率: | 33(mW) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 |
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 达林顿晶体管
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: PNP
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-32
集电极—发射极电压 VCEO: 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—基极电压 VCBO: 80 V
直流电集电极电流: 4 A
集电极截止电流: 100 uA
工作温度: 150 C
封装: Tube
DC Collector/Base Gain hfe Min: 100
制造商: Taiwan Semiconductor 产品种类: 整流器 RoHS: 详细信息 产品: Fast Recovery Rectifier 配置: Single 反向电压: 1000 V 正向电压下降: 1.2 V 恢复时间: 500 ns 正向连续电流: 1 A @ Ta = 55C 浪涌电流: 30 A 反向电流 IR: 5 uA 封装 / 箱体: DO-41 封装: Reel 工作温度: 150 C 最小工作温度: - 65 C
制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 3.6 Ohms 正向跨导 gFS(值/最小值) : 3.8 S 汲极/源极击穿电压: 800 V 闸/源击穿电压: /- 30 V 漏极连续电流: 3.9 A 功率耗散: 130 W 工作温度: 150 C 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220AB 封装: Tube 最小工作温度: - 55 C Standard Pack Qty: 50 零件号别名: FQP4N80_NL