安森美功率MOS管——MTD6N20E
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/型号： | ON/MTD6N20E | |
| 种类： | 绝缘栅MOSFET | |
| 用途： | V-FET/V型槽MOS | |
| 封装外形： | SMDSO/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 跨导： | 1500（μS） | |
| 极间电容： | 480（pF） | |
| 漏极电流： | 6000（mA） | |
| 耗散功率： | 50000（mW） | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
N−Channel 6Amps 200 Volts Power MOSFET
•无铅包装
•封装：DPAK(TO-252)
•工作温度范围：-55 to 150°C
•开启延迟时间：17.6ns
•关断延迟时间：44ns
•导通电阻: R=460mΩ
•耗散功率： PD=50W
上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
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