价 格: | 1.00 | |
品牌/型号: | IR | |
电压: | 10――100V | |
功率特性: | 大功率 | |
触发电流: | 25――57A | |
封装材料: | 金属封装 | |
结温: | 105℃ | |
电流: | 85A | |
极性: | 二极可控硅 | |
封装形式: | TO-3P | |
电流容量: | 大功率可控硅 | |
控制方式: | 普通可控硅 |
RoHS:/17929.aspx
标准包装:25
包装:500
类别:分离式半导体产品
原厂类别:FET - 单
系列:HEXFET?
FET 型:MOSFET N 通道/金属氧化
FET 特点:标准型
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:57A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C:
25 毫欧 @ 28A,/10V
安装区别:通孔
封装:TO-247-3
设备封装:TO-247AC
安逸通电子
电话:0755-33172639
QQ:1294626114
手机:13826513400