Wafer Diameter ----100mm
Wafer Thickness -----(290 ± 20)μm
Die Size -----(1.5 × 1.5)mm
Scribe Line Width---- 80μm
Gate Pad------ (220 × 220)μm
Cathode Pad -----(445 × 445)μm
Metallization
Planar Side -------Al (2.0 – 2.2)μm
Collector Side----- Ti (0.1 ± 0.02)μm
Ni------ (0.5 ± 0.10)μm
Ag ------(0.6 ± 0.10)μm
Repetitive Peak Off-State Voltages( VDRM,VRRM) ----600 /800V
RMS On-State Current IT (RMS) ------ 1A
Peak Non-repetitive Surge Current ITSM ------ 8A( Sine Wave, f = 50Hz,
t = 20ms, Tj =25°С)
我公司经销低频放大壳额定双极性晶体管芯片/晶圆13003,并可提供TO-126封装成品管,质量保证。产品概述:该芯片在采用适当的封装工艺以后,可以形成多种封装形式的硅NPN功率晶体管,主要用于电子镇流器、电子节能灯的功率开关电路。芯片物理参数: 芯片型号Model13003芯片尺寸mm:1.73*1.73正面电极金属铝背面电极金属银 推荐厂家参考封装形式: 芯片型号封装型号封装类型13003TO-126塑封 我公司可提供相关型号详细资料。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系,共同发展!
我公司主要经销俄罗斯芯片,货源稳定,质量可靠,供货及时,价格合理.为确保用户能放心使用该产品,我们将根据用户的需求意向,提供更详细的信息和产品样品。我们有多种尺寸,可供不同厂家进行选用.芯片型号:SB140、SB160、SB1100、SB240、SB260、SB2100、SB320、SB340、SB360、SB3100、SB540、SB560、SB5100、SB1040、SB1060、SB10100芯片尺寸:0.76*0.76、0.83*0.83、0.86*0.86、1.0*1.0、1.3*1.3、1.42*1.42、1.5*1.5、1.65*1.65、1.8*1.8、2.0*2.0、2.2*2.2、2.67*2.67、2.76*3.18、3.18*3.18所有芯片均有防静电功能,防静电为4000V,芯片正面一般为AL或AG,背面为TI-NI-AG或AG.