无锡固电ISC供应优质三极管 BU941T 达林顿三极管 可控硅三极管
| 价 格： | 面议 | |
| 加工定制： | 是 | |
| 击穿电压VCEO： | 400（V） | |
| 应用范围： | 放大 | |
| 集电极耗散功率PCM： | 150（W） | |
| 极性： | NPN型 | |
| 集电极允许电流ICM： | 30（A） | |
| 封装形式： | 直插型 | |
| 封装材料： | 塑料封装 | |
| 封装类型： | TO-220C | |
| 结构： | 面接触型 | |
| 材料： | 硅Si |
DESCRIPTION
·High Voltage
·DARLINGTON
APPLICATIONS
·High ruggedness electronic ignitions
·High voltage ignition coil driver
质量保证：
固电的目标是成为水平的功率半导体主流供应商，致力于我们的顾客建立长
期的合作关系。
固电通过了ISO9001:2000质量管理体系认证和SGS无铅认证，
固电所有晶体管都经过100%全面的性能测试，保证质量，并且持续改进不断提高，以满足顾客的需求。
收订订单后，我们的质量小组组织合同评审，审核后安排生产。
所有出厂产品都必须经过终检，才能流出工厂。
固电确保供应的晶体管能够达到可靠性的标准和极低的实效比率。
质量：
-制造商
-完善的质量管理体系
-完备的可靠性设备和工艺
-稳定的原材料供应商
-ISO9001:2000证书
-SGS无铅证书
-永无止境的质量改进
产品：
-二十多种外型，4000多个产品
-应用领域广
-生产提供国外已停产的型号
-生产提供很难找到的型号
-全系列的标准工业封装形式
-产品可靠性极高
-产品是效率低
-军工用
管理：
-明确公司目标和团队目标
-良好的团队合作
-每天培训，体改员工素质
-先进的理念
-6S
-JIT精益生产
-全球30多个国家，1000多个长期合作顾客
-参加国内外展会，紧跟行业动态
-公司建立了8大管理体系
服务
-永远对顾客说真话
-不断研发新产品
-遵守商业道德，为顾客的信息保密
-完善的顾客档案系统
-定期发布业务通讯，让顾客了解ISC动态
-技术顾问和工程师
-迅速回复询价
-免费提供样品，出具测试报告
-按顾客要求，个性化生产
-个性化的标签和包装
-多品种
-为顾客支付普通运费和手续费
-满足顾客要求及时完全交货
-服务
-成为顾客的顾问
-完整的DATESHEET光盘
-完整的产品数据简要手册和应用选择手册
-丰富的电子商务经验
- 所属城市：江苏 无锡
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 王燕
- 电话：0510-85346980
- 传真：0510-85346750
- 手机：15961889150
- QQ ：
无锡固电 供应2SD362三极管
信息内容：供应2SD362三极管TO-220,有意者请与我联系！DESCRIPTION·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 70V(Min)·Collector Power Dissipation- : PC= 40W(Max)@ TC= 25℃APPLICATIONS·Designed for B/W TV horizontal deflection output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)SYMBOLPARAMETERVALUEUNITVCBOCollector-Base Voltage150VVCEOCollector-Emitter Voltage70VVEBOEmitter-Base Voltage8VICCollector Current-Continuous5APCCollector Power Dissipation@ TC=25℃40WTJJunctionTemperature150℃TstgStorageTemperature Range-55~150℃ELECTRICAL CHARACTERISTICSTC=25℃unless otherwise specifiedSYMBOLPARAMETERCONDITIONSMINTYP.MAXUNITV(BR)CEOCollector-Emitter Breakdown VoltageIC= 2mA; RBE=∞70VV(BR)CBOCollector-BaseBreakdownVoltageIC= 1mA; IE= 0150VV(BR)EBOEmitter-BaseBreakdownVoltageIE= 1mA; IC= 08VVCE(sat)Collector-Emitter Saturation VoltageIC= 5A; IB= 0.5A1.0VVBE(sat)Base-Emitter Saturation VoltageIC= 5A; IB= 0.5A1.5VICBOCollector Cutoff CurrentVCB= 100V; IE= 020μAhFEDC C...
NPN 达林顿 三极管 TIP122
信息内容：DESCRIPTION·High DC Current Gain-: hFE= 1000(Min)@IC=3A·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 100V(Min)·Low Collector-Emitter Saturation Voltage- :VCE(sat)=2.0V(Max)@ IC=3A=4.0V(Max)@ IC=5A·Complement to Type TIP127 APPLICATIONS·Designed for general purpose amplifier and low speedswitching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃)SYMBOLPARAMETERVALUEUNITVCBOCollector-Base Voltage100VVCEOCollector-Emitter Voltage100VVEBOEmitter-Base Voltage5VICCollector Current-Continuous5AICMCollector Current-Peak8AIBBase Current120mAPCCollector Power DissipationTC=25℃65WCollector Power DissipationTa=25℃2TjJunction Temperature150℃TstgStorageTemperature Range-65~150℃ELECTRICAL CHARACTERISTICSTC=25℃unless otherwise specifiedSYMBOLPARAMETERCONDITIONSMINTYP.MAXUNITVCEO(SUS)Collector-Emitter Sustaining VoltageIC= 0.1A, IB= 0100VVCE(sat)-1Collector-Emitter Saturation VoltageIC= 3A ,IB= 12mA2.0VVCE(sat)-2Collector-Emitter Saturation voltageIC= ...
