FTW14N50C
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/型号： | FTW14N50C | |
| 封装： | TO-3P | |
| 击穿电压： | 0――0V | |
| 栅源击穿电压： | 0v | |
| 漏源动态电阻： | 0――0Ω | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 种类： | 绝缘栅MOSFET | |
| 批号： | 12+ | |
| 特色标志： | 新品 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 沟道类型： | N沟道 |
dzsc/19/1983/19198325.jpgIPS功率半導體技術和產品的提供者.先進的中高壓功率 MOSFET.主要應用於功率管理領域.目標市場為消費電子、汽車電子、家用電器和信息技術等.華南獨家代理.IPS擁有25個美國專利,由FSC,IR,TI的MOSFET技朮專才組成,價格及交期優于FSC,IR
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型号：FTW14N50C
厂商：IPS
批号：12
封装：TO-3P
数量：12000
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深圳市信泰瑞达科技有限公司/廖立斌
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供应IRF9335TRPBF
信息内容：诚信经营，品质保证---电子元器件供应商 电话：0755-83242658 传真：0755-83015686 手机: 13641469108 商务QQ: 543158798 联系人：廖先生我司常备全新原装现货，价格优势，质量保证，以优势说话！！若有对产品有疑问或希望得到进一步的了解，请与我们联络！！ 标准包装：4,000类别：分离式半导体产品家庭：FET - 单系列：HEXFET?FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点：逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)：30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：5.4A开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C：59 毫欧 @ 5.4A，10VId 时的 Vgs(th)（）：2.4V @ 10μA闸电荷(Qg) @ Vgs：14nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds：386pF @ 25V功率 - ：2.5W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商设备封装：8-SO包装：带卷 (TR)其它名称：IRF9335TRPBFTRdzsc/19/2038/19203819.jpg?
供应微波三极管NESG3031M05
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