IGBT/MOSFET大功率开关

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特点及用途：

☆ 金属化聚丙烯膜卷绕，无感式结构
☆ 高频ESR极低，高dv/dt，能承受极高的脉冲电流，高耐压，具有良好的自愈能力
☆ 外观及封装形式多样，可满足客户各种要求
☆ 主要应用于IGBT/MOSFET模块突波吸收，也可用于特大电流通过的场合
☆ 适用于电源设备、变频设备、超声设备、大功率开关电路

dzsc/19/1979/19197961.gif 技术要求：

☆ 引用标准：GB10353 IEC384-16
☆ 气候类别：40/085/21
☆ 额定电压：630V(400V)、1.2KV(1.0KV)、2.0KV(1.6KV)(DC)
☆ 电容量范围：0.1-4.7μF
☆ 电容量偏差： J(±5%), K(±10%)
☆ 耐电压：1.60UR (1min)
☆ 绝缘电阻：C≤0.33μF, 30000MΩ(20℃,1min)
C>0.33μF, 10000MΩ·μF
☆ 损耗角正切：≤0.1% (20℃, 1KHz)

上海誉善电子有限公司

公司信息未核实

所属城市：上海
[联系时请说明来自维库仪器仪表网]
联系人： 刘超
电话：13306184575
传真：86-21-65448612-
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金属化聚丙烯膜介质直流固定电容器

信息内容：

特征与用途矩形阻燃塑料外壳，环氧树脂封装，单向引出结构。体积小，重量轻，可靠性高。用于直流或脉动电路中。技术与性能指标详细规范：Q/RL103-89分规范：GB10190-88 气候类别：40/085/21 电容量允许偏差：±5%(J);±10%(K);±20%(M); 损耗角正切：≤0.001 (1KHz) 绝缘电阻：≥25000MΩ 耐电压：≥1.75UR (1S) 额定电压范围：1000V;1600V;2000V; 标称电容量范围：0.0033µF ～0.047µF

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