HC106D单向可控硅
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/型号： | HC106D | |
| 极性： | 三极可控硅 | |
| 电流容量： | 其他 | |
| 控制方式： | 普通可控硅 |
| 产品类别：2A单向可控硅-SCRs |
| 工业型号：HC106D |
| 封装外形：TO-126 |
| 管脚排列：K-G-A（K-Cathode；G-Gate；A-Anode） |
| 电流/IT(RMS)：≤2 A ( ITSM:≤20 A ) |
| 电压/VDRM：≥400 V |
| 触发电流/IGT：Gate trigger current（VAK=6V；RL=100Ω） |
| 30～200 uA (中间值～值) (微安) |
| 触发电压/VGT：0.8V |
| 门极散耗功率：0.5W(Average gate power dissipation) |
| 工作温度/Tj：-40~ 110°C (储存温度: -40~ 150℃) |
| 器件品牌：KKG |
| 包装规格：袋装，每包1K，每盒10K |
| 供应状况：接受订货 可长期供应 |
电话：0755-29955080-823
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4A双向可控硅BTB04-600SL
信息内容：品牌：KKG 型号：BTB04-600SL 详细说明型号BTB04-600SL电流4（A）电压600（V）触发电流10 mA（A）结温125（℃）封装形式TO-220AB?产品类别：4A 四象限 非绝缘型 双向可控硅?工业型号：BTB04-600SL?封装形式：TO-220AB?电流/IT(RMS)：≥4 A ?电压/VDRM：≥600V?触发电流/IGT： IGTⅠ(T2 G )：≤10 mA（象限） IGTⅡ(T2 G-)：≤10 mA（第二象限） IGTⅢ(T2-G-)：≤10 mA（第三象限） IGTⅣ(T2-G )：≤25 mA（第四象限）?触发电压/VGT：＜1.5V?门极散耗功率：1W ?工作温度/Tj：-40~ 110°C (储存温度 -40~ 150℃)?器件品牌：ST、KKG （同时供应）?包装规格：管装， 每管50pcs， 每盒1Kpcs 一盒/1K起出货，原包装无零散数量时不拆零?库存状况：接受订货
可控硅BTA24-1200B
信息内容：品牌：KKG 型号：BTA24-1200B 详细说明 封装形式 金属封装可控硅 极性 三极可控硅 控制方式 普通可控硅 电压 1200（V）（V） 型号 BTA24-1200B BTA24-1200B 双向高压可控硅 【产品种类】TRIAC_双向可控硅 【工业型号】BTA24-1200B 【公司型号】BTA24-1200B 【封装外形】TO-220AB 绝缘型 【环保区分】无铅产品，提供SGS认证 【包装规格】管装、每管50Pcs、每盒1Kpcs、每箱8K 【主要参数】25A，1200V，IGT≤50mA
