价 格: | 7.00 | |
品牌/型号: | infineon/SPB160N04S2-03 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
低频噪声系数: | 24(dB) | |
封装外形: | SMDSO/表面封装 | |
极间电容: | 7600(pF) | |
夹断电压: | 40(V) | |
开启电压: | 40(V) | |
跨导: | 24(μS) | |
用途: | MOS-FBM/全桥组件 | |
种类: | 绝缘栅MOSFET | |
耗散功率: | 6000(mW) | |
漏极电流: | 5000(mA) | |
导电方式: | 增强型 | |
沟道类型: | N沟道 |
场效应管SPB160N04S2-03场效应管SPB160N04S2-03场效应管SPB160N04S2-03场效应管SPB160N04S2-03场效应管SPB160N04S2-03场效应管SPB160N04S2-03场效应管SPB160N04S2-03
供应场效应管IPD082N10N3G供应场效应管IPD082N10N3G供应场效应管IPD082N10N3G供应场效应管IPD082N10N3G供应场效应管IPD082N10N3G供应场效应管IPD082N10N3G供应场效应管IPD082N10N3G
供应场效应管STD4NK80Z-1供应场效应管STD4NK80Z-1供应场效应管STD4NK80Z-1供应场效应管STD4NK80Z-1供应场效应管STD4NK80Z-1供应场效应管STD4NK80Z-1供应场效应管STD4NK80Z-1供应场效应管STD4NK80Z-1