| 价 格: | 面议 | |
| 品牌/型号: | IR/IRFR3709ZPbF | |
| 型号/规格: | IRFR3709ZPbF | |
| 品牌/商标: | IR | |
| 类型: | 绝缘栅型场效应管/MOS场效应管 | |
| 沟道类型: | N型沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 |
| 数据列表 | IRFR3709ZPbF, IRFU3709ZPbF |
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET? |
| FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 86A |
| 开态Rds()@ Id, Vgs @25° C | 6.5 毫欧 @15A,10V |
| Id 时的 Vgs(th)() | 2.25V @ 250μA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2330pF @ 15V |
| 功率 - | 79W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 产品目录页面 | 1522 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | IRFR3709ZPBFTR |
数据列表 IRFB4115PbF 产品相片 TO-220-3, TO-220AB 标准包装 50 类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单 系列 HEXFET? FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准 漏极至源极电压(Vdss) 150V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 104A 开态Rds()@ Id, Vgs @25° C 11 毫欧 @62A,10V Id 时的 Vgs(th)() 5V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs 120nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 5270pF @ 50V 功率 - 380W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
dzsc/19/3815/19381532.jpg 产品级别: 工业级/**级 输出功率: 3W 输入电压: 90-264VAC 输出电压: 3.3V/5V/9V/12V/15V 隔离电压: 2500VAC 体 积: 31.6*20*15mm(超小型) PDF下载: dzsc/19/3815/19381532.png 应用特点: 全球电压输入(90~264Vac),超薄型/超小型 低纹波、噪声 输出过载、短路保护 高效率、高功率密度 ...