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供应IR/IRFR3709ZPbFMOSFET N 通道

价 格: 面议
品牌/型号:IR/IRFR3709ZPbF
型号/规格:IRFR3709ZPbF
品牌/商标:IR
类型:绝缘栅型场效应管/MOS场效应管
沟道类型:N型沟道
导电方式:增强型

数据列表

IRFR3709ZPbF, IRFU3709ZPbF

产品相片

TO-263

标准包装

2,000

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -

系列

HEXFET?

FET

MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点

逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss)

30V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C

86A

开态Rds()@ Id, Vgs @25° C

6.5 毫欧 @15A10V

Id 时的 Vgs(th)()

2.25V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs

26nC @ 4.5V

输入电容 (Ciss) @ Vds

2330pF @ 15V

功率 -

79W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3DPak2 引线 接片),SC-63

供应商设备封装

D-Pak

包装

带卷 (TR)

产品目录页面

1522 (CN2011-ZH PDF)

其它名称

IRFR3709ZPBFTR

上海卓玉电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 孙小姐
  • 电话:021-36315554
  • 传真:021-13472758501
  • 手机:13472758501
  • QQ :QQ:970976134
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信息内容:

数据列表 IRFB4115PbF 产品相片 TO-220-3, TO-220AB 标准包装 50 类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单 系列 HEXFET? FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准 漏极至源极电压(Vdss) 150V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 104A 开态Rds()@ Id, Vgs @25° C 11 毫欧 @62A,10V Id 时的 Vgs(th)() 5V @ 250μA 闸电荷(Qg) @ Vgs 120nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds 5270pF @ 50V 功率 - 380W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)

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供应AC-DC模块电源 SZP3(超小型)

信息内容:

dzsc/19/3815/19381532.jpg 产品级别: 工业级/**级 输出功率: 3W 输入电压: 90-264VAC 输出电压: 3.3V/5V/9V/12V/15V 隔离电压: 2500VAC 体 积: 31.6*20*15mm(超小型) PDF下载: dzsc/19/3815/19381532.png 应用特点: 全球电压输入(90~264Vac),超薄型/超小型 低纹波、噪声 输出过载、短路保护 高效率、高功率密度 ...

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