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场效应管STB12N120K5

价 格: 1.00
品牌/型号:ST意法半导体/STB12N120K5
种类:绝缘栅MOSFET
用途:MOS-FBM/全桥组件
封装外形:SMDSO/表面封装
材料:GE-N-FET锗N沟道
开启电压:30(V)
夹断电压:30(V)
跨导:24(μS)
极间电容:500(pF)
低频噪声系数:24(dB)
漏极电流:24(mA)
耗散功率:24(mW)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型

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广州市越秀区卓煌电子经营部
公司信息未核实
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