高dv/dt薄膜电容器订购热线:18603923401 高dv/dt薄膜电容器特征与用途 1. 矩形阻燃塑料外壳,阻燃环氧树脂封装,单向引出结构。 2. 体积小,重量轻,电压高。 3. 能承受较大脉冲电流作用,每微秒电压可上升数百伏到数千伏。 4. 用于直流或脉动电路,特别适用于彩电,军用整机等。 5. 可靠性高。 高dv/dt薄膜电容器技术与性能指标 1. 执行标准:IEC 60384-17 2. 气候类别:55/100/21 3. 电容量允许偏差:±5%(J);±10%(K);±20%(M) 4. 损耗角正切: ≤0.0005(1KHz) 5. 绝缘电阻:CR≤100V ≥100000MΩ 6. 耐电压:2UR(2S) 7. 寿命试验: (1)充放电10000次或(2)耐久性试验
①. 试验条件
试验温度:85℃
施加电压:1.5UR
试验时间:1000h
②.试验后性能
电容量变化:△C/C≤2%±(2% 2pF)
损耗角正切赠量:≤增量值的1.4倍
绝缘电阻 ≥50%规定值
中高压大电流固定电容器是我公司首先从国外引进的型号产品,以聚丙烯膜为介质,双面真空蒸发铝金属化层,矩形阻燃塑料外壳,阻燃环氧树脂封装,单向引出结构。体积小,重量轻,有优异的自愈性能,能承受较大脉动电流作用,可靠性可以达到M级以上的水平。同时该产品被评为国家优质产品,适用用于直流或脉动电路中,适用于S-J校正,紧凑型节能灯、电子整流器、逆变焊机等。并特别适用于军用整机等大电流场合。主要技术指标与性能如下: 1、执行标准:IEC60384-16 2、环境温度:55/100/21 3、电容量允许偏差:±5%(J);±10%(K) 4、损耗角正切:CR≤1μF tanδ≤0.002(1kHz) CR>1μF tanδ≤0.004(1kHz) 5、耐电压:1.6UR(2s) 6、绝缘电阻:CR≤0.33μF ≥100000MΩ CR>0.33μF ≥30000s 7、可靠性等级:M级以上 标称电容量与额定电压及外形尺寸(可根据用户需求设计
ASMJ型自愈式低压滤波电容器 特征与用途 1矩形金属外壳,全密封结构、体积小、重量轻。 2电性能优异、功率损耗小,具有良好的自愈特性。 3内部装有特殊安全防爆装置,安全可靠。 4主要用途是滤除电网高频谐波、改善电压质量。 技术与性能指标 1执行标准:IEC 60831-1:1996 2环境温度:-40℃~ 70℃ 3电容量允许偏差:-5%~ 10% (或根据客户要求) 4损耗角正切: tanδ≤0.0020(120Hz) 5耐电压:2Un(1s)