高压场效应管STB21NM60ND(图)
| 价 格： | 1.00 | |
| 品牌/型号： | ST意法半导体/STB21NM60ND | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 低频噪声系数： | 24（dB） | |
| 封装外形： | SMDSO/表面封装 | |
| 极间电容： | 560（pF） | |
| 夹断电压： | 500（V） | |
| 开启电压： | 500（V） | |
| 跨导： | 24（μS） | |
| 用途： | MOS-FBM/全桥组件 | |
| 种类： | 结型JFET | |
| 耗散功率： | 600（mW） | |
| 漏极电流： | 500（mA） | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 沟道类型： | N沟道 |
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广州市越秀区卓煌电子经营部
公司信息未核实
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