公司地址: 深圳市福田区振华路与中航路交汇处国利大厦1740室
电 话: 0755-29555668 82718768
传 真: 0755-29474955
联 系 人:王小姐 15889361615
Q Q:942432063
E-mail : ylwhe@foxmail.com
详情请登录: http://www.yili-ic.com
CR6224S SOP-8完全兼容OB2353. CR6224能做到8瓦
CR6224T DIP-8完全兼容OB2354. CR6224 能做到12W
CR622X 是用于24W以内离线式开关电源IC,该IC 含有高压功率MOSFET,具有优化的图腾驱动电路以及电流模式PWM 控制器。PWM 控制器包含50KHz 固定的频率振荡发生器以及各种保护。由振荡电路产生的频率抖动,可以改善EMI 特性。为了获得良好的效率和待机功耗,CR622X 在重载或中等负载时,工作在PWM 模式,频率为50KHz。
当负载逐渐减小时,振荡器的工作频率逐渐降低,稳定在22KHz 左右。在空载和轻载时,电路采用间歇模式,有效的降低了待机功耗。保护功能包括:欠压锁定、过压保护及钳位、过载保护等,各种保护解除后均可自动恢复工作。
由于CR622X 高度集成,使用外围元件较少。采用CR622X 可简化反激式隔离AC-DC 开关电源设计,
从而使设计者轻松的获得可靠的系统。
2.欠压锁定和启动电路
系统在上电时,整流后的高压通过启动电阻RIN为VDD 端的电容C1 充电,直到VDD 端电压达到芯片的启动电压VDD_ON(典型14.8V)时,芯片启动并且驱动整个电源系统工作。如果发生保护,输出关断,导致辅助绕组掉电,VDD 端电压开始下降,当VDD 端电压低于芯片的关闭电压VDD_OFF(典型9V)时,控制电路关断,芯片消耗电流变小,进入再次启动序列。
3.软启动
CR622X内部具有软启动电路,以减少电源启动期间电压应力。在VDD达到启动电压14.8V(Typ)时,芯片内置算法将会使峰值电流限制电压阈值经过4ms逐渐升高到0.90V 。无论何种保护导致的再次启动,都必将是软启动。
4.正常工作频率和频率抖动
CR622X 正常的工作频率被内部固定为50KHz,不需要外部定频元件,有效地简化了PCB 布局。为了良好的EMI 特性,在正常的工作频率上增加了±4%的抖动,弱化在某个频率点对外辐射的能量。使系统设计更容易成功。
5.FB 输入端
0.8V~1.1V 为系统在空载或轻载时工作在间歇模式下的FB 端电压;1.1V~1.62V 为系统在中等或轻载.负载时频率调制模式下的FB 端电压;1.62V~3.7V 为系统在重载下的FB 端电压;3.7V~5.6V 为系统开环,过功率保护,短路保护时FB 端电压;FB 端的短路电流典型值为1.55mA。
当VFB 大于3.7V 并持续50ms 的时间,关闭开关管,状态被保持。此时芯片VDD 电压必须降低到VDD_OFF后,再启动才能恢复正常。当VFB 小于0.8V 时,仅关闭开关管以保护系统。
6.CS 输入端
CR622X 采用电流模式PWM 控制技术,初级峰值电流通过电流检测电阻Rsense 转化为电压反馈到Sense 端。由于在开关管导通瞬间会有脉冲峰值电流,如果此时采样电流值,会导致错误的控制。内置的前沿消隐(LEB)电路,就是为了防止这种错误的控制。在开关管导通后,经过一段前沿消隐时间(典型300ns)才去控制电流限制比较器,可以为系统节省一个外部的RC 网络。正常工作时,PWM 占空比由Sense 端电压和FB 端电压共同调整。
7.内置斜波补偿
内置斜波补偿电路增加电流检测电压的斜率,这可以改善系统闭环的稳定性,防止次谐波振荡,减小输出纹波电压。
8.驱动
CR622X 内置的功率MOSFET 通过一个专用的栅极驱动器控制。当提供给MOSFET 驱动能力差时会导致高的开关损耗;驱动能力强,EMI 特性会变差。这就需要一个折衷的办法来平衡开关损耗和EMI 特性,
CR622X 内置的图腾驱动电路设计可以优化驱动能力。这种控制原理可以在系统设计时,容易地获得低的损耗和良好的EMI 特性。
除此之外,栅极驱动能力还可以通过调整连接在VDD 端和VDDG 端的电阻实现的。这样就提供了一个灵活的系统EMI 设计。建议该电阻取值为4700~1K0。
9.保护功能
在发生各种异常保护状态以后,CR622X 关闭输出,导致VDD 端电压降低,电路会不断重启,直至故障解除。
1)逐周期电流限制
在每个周期,峰值电流检测电压由比较器的比较点决定。该电流检测电压不会超过峰值电流限制电压。保证初级峰值电流不会超过设定电流值。当电流检测电压达到峰值电流限制电压时,输出功率不会增大从而限制了输出功率。如果负载过重,会导致输出电压变低,反映到FB 端,导致FB 电压升高,发生过载保护。具有线电压补偿功能的OCP,在宽范围输入时可实现恒功率输出。
2)过压保护及钳位
当VDD 电压超过过压保护点(典型28.5V)时,表示负载上发生了过压,此时CR622X 关断输出。该状态一直保持,直到VDD 端口电压降到VDD_OFF 后进入再次启动序列。发生过压保护后,如果VDD 端口电压超过箝位电压阀值(典型30V)时,内部箝位电路将VDD 电压箝位在30V,以保护CR622X 不被损坏,此时输出仍然是关闭的。
3)过载保护
当电路过载时,会导致FB 电压升高,当VFB 超过 3.7V 并持续50ms 的时间,CR622X 关闭输出。该状态一直保持,直到芯片VDD 电压降低到VDD_OFF(典型9V)后,进入再次启动序列。
4)短路保护
短路保护可能由两种情况决定,当输出短路时,VDD 端口电压会下跌,同时FB 端口电压会升高,如果VDD 端口电压跌到VDD_OFF(典型9V)先于FB 端口超过3.7V 并持续50ms,则短路保护由VDD 端口引起的UVLO 决定。反之,则由FB 引起的过载保护决定。
其他绿色节能PWM功率转化器系列(PWM控制芯片+ 650V MOSFET)
公司始终坚持“品质、信誉"的宗旨,保证为客户提供原厂原包装的产品。
一力微电子热销产品
PWM控制IC+内置MOS管电源IC:CR6229T.全新原装现货.由深圳市一力微供应:
一、CR6221---PWM控制IC,内置高压MOSFET---建议做5W (建议输出电流1.1A内)
二、CR6224--- PWM控制IC,内置高压MOSFET---建议做12W内(建议输出电流2.1A内)
三、CR6228--- PWM控制IC,内置高压MOSFET---建议做16W内(建议输出电流2.5A内)
四、CR6229--- PWM控制IC,内置高压MOSFET---建议做18W内(建议输出电流3A内)
CR622X系列:高集成、低成本,电流模式PWM功率转换芯片,内置650V高压MOSFET,有效简化系统设计,多重完善的保护功能更使您的设计稳定可靠。采用频率抖动技术有效降低系统EMI;根据负载变化,智能进入PFM/BustMode模工,降低系统功耗,实现绿色节能。齐全的产品规格,可满足您0-28W不同的功率要求。(注0-28W属开放式单电压电流!)
CR623X系列:具有高集成、低成本,电流模式PWM功率转化芯片,基于原边检测和调整的控制器,就用时无需TL431和光耦,有效降低系统整机成本,芯片内置了恒流/恒压两种控制方式。采用反激式电路结构,输出和输入高压使用变压器隔离,外围原件少,转换效率高,成本低性价比良好,采用,Power-Rail PSR方案能轻松实现全电压输入范围,该产品线包含控制器和开关器两种系列满足不同客户需求。
CR68XX系列为副边反馈PWM控制反激式交流转直流电源IC,适用于高性能,低待机功耗<0.1W,低成本的离线式反激开关电源中,具有优化的图腾驱动电路以及电流模式PWM控制器.PWM控制器包含50HZ固定的频率振荡发生器以及各种保护.由振荡电路产生的频率抖动,可有效改善EMI特性.高度集成,使用外围元件较少.简化反激式隔离AC/DC开关电源设计,从而使设计者轻松的获得可靠的系统.该产品线包含控制器和开关器两种系列可满足您1W-120W不同功率要求。
序号
民展系列产品
可替代型号
控制模式
功能
可做功率
封装
1
CR6221T
副边反馈
内置1A/650V高压MOS管
5W
DIP-8
2
CR6224T/S
OB2353/4
副边反馈
内置2A/650V高压MOS管
12W
DIP-8/SOP8
4
PR8224
CR6224T
副边反馈
低待机功耗<50MW
12W
DIP8
5
CR6228T
OB2358
副边反馈
内置3A/650V高压MOS管
16W
DIP-8
6
CR6229T
副边反馈
开放式单电压24W,全电压18W,
24W
DIP-8
内置4A/650V高压MOS管,
18W
DIP-8
7
CR6232
CL1100芯联/OB2532
原边反馈
外置MOS管
18W
SOT23-6
8
CR6234
OB2534
原边反馈
外置MOS管
6W
SOT23-6
9
CR6235S
OB2535
原边反馈
内置高压MOS管可节省光藕/TL431
5W
SOP-8
10
CR6236T
原边反馈
内置高压MOS管可节省光藕/TL431
7W
DIP-8
11
CR6238T
OB2538
原边反馈
内置高压MOS管可节省光藕/TL431
12W
DIP8
12
CR6850C
OB2262
副边反馈
LD7550
<60W
SOT-23-6
DIP8
13
PR9853
OB2263
副边反馈
LD7535
<60W
DIP-8
SOT-23-6
14
PR6863
OB2273
低待机功耗<0.1W
外置MOS管
<60W
SOT-23-6
15
CR6311
OB2361
准谐振IC
QR
<60W
SOT-23-6
16
PR8275
LD7575
大功率高压驱动
LD7575/LD7576
<120W
SOP8
17
PR8278
大功率高压驱动
低待机功耗<0.5W
<120W
SOP8
18
PR8612A
VIPER12A
内置高压MOS管
12W
DIP8
一力微电子热销产品 PWM控制IC+内置MOS管电源IC:CR6229T.全新原装现货.由深圳市一力微供应: 一、CR6221---PWM控制IC,内置高压MOSFET---建议做5W (建议输出电流1.1A内) 二、CR6224--- PWM控制IC,内置高压MOSFET---建议做12W内(建议输出电流2.1A内) 三、CR6228--- PWM控制IC,内置高压MOSFET---建议做16W内(建议输出电流2.5A内) 四、CR6229--- PWM控制IC,内置高压MOSFET---建议做18W内(建议输出电流3A内) CR622X系列:高集成、低成本,电流模式PWM功率转换芯片,内置650V高压MOSFET,有效简化系统设计,多重完善的保护功能更使您的设计稳定可靠。采用频率抖动技术有效降低系统EMI;根据负载变化,智能进入PFM/BustMode模工,降低系统功耗,实现绿色节能。齐全的产品规格,可满足您0-28W不同的功率要求。(注0-28W属开放式单电压电流!) CR623X系列:具有高集成、低成本,电流模式PWM功率转化芯片,基于原边检测和调整的控制器,就用时无需TL431和光耦,有效...
深圳市一力微电子有限公司主要经营民展(Power-Rail)AC-DC反激式PWM电源控制芯片,可提供技术支持!公司从事绿色节能电源控制芯片集成电路的销售。公司现有AC/DC,DC/DC, LED驱动等众多高性能的模拟信号集成电路产品。广泛应用于包括开关电源,电源适配器,充电器,安防电源,LED电源,网通等领域。一力微电子致力于以优势的产品,优质的客户服务创造核心价值,客户的成功就是我们的成功。以最简单的系统方案帮助客户实现市场的突破。我们期待与我们的客户共同成长。公司始终坚持以:“诚信、务实、高效、双赢”的方针的特点,与新老合作伙伴积极合作,共谋发展,同创辉煌。 CR品牌是大家非常熟悉的产品,目前完全兼容:On-Bright昂宝、LD通嘉,THX通华芯等品牌。 一力微电子热销产品 PWM控制IC+内置MOS管电源IC:CR6229T.全新原装现货.由深圳市一力微供应: 一、CR6221---PWM控制IC,内置高压MOSFET---建议做5W (建议输出电流1.1A内) 二、CR6224--- PWM控制IC,内置高压MO...