产品参数:
供电电压(Vs):2.7-6.5Vcd
工作温度范围(Working Temp):-40~150℃
输出类型(Output):电压输出
线性度(Linearity):0.7%(典型值)
霍尔传感器简介
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855-1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
注:由于电子元件流动性快,所以价格不会恒久不变,成本会因来货数量、来货渠道以及市场需求量在每一个时期做一定的调整,当来货量高于市场需求量会做下调处理,当来货量低于市场需求量则稍做上调处理;详情请咨询在线客服:QQ 123650300
优势产品展示:
dzsc/19/1863/19186333.jpg
极限参数
参 数 |
符号 |
量 值 |
单位 |
电源电压 |
VCC |
4.5~24 |
V |
输出截止态电压 |
VO |
不限 |
V |
输出电流 |
IO |
25 |
mA |
工作环境温度 |
TA |
-40~85 |
℃ |
贮存温度 |
TS |
-55~150 |
℃ |
电特性 TA=25℃
参 数 |
符号 |
测试条件 |
量 值 |
单位 |
||
最小 |
典型 |
|
||||
电源电压 |
VCC |
VCC=4.5V~24V |
4.5 |
- |
24 |
V |
输出 低电平电压 |
VOL |
VCC=4.5V ,VO=24V IO=25mA,B≥ BOP |
- |
100 |
400 |
mV |
输出漏电流 |
IOH |
Vo=24V, B<BRP |
- |
<1 |
10 |
μA |
电源电流 |
ICC |
VCC=24V, VO开路 |
- |
5.5 |
9.0 |
mA |
输出上升时间 |
tr |
VCC=12V RL=820Ω CL=20Pf |
- |
0.2 |
2.0 |
μS |
输出下降时间 |
tf |
- |
0.18 |
2.0 |
μS |
磁特性 单位:mT
参 数 |
型 号 及 量 值 |
|||
CS3144E |
||||
最小 |
典型 |
|
||
工作点 磁感应强度(BOP) |
TA=25℃ |
7.0 |
- |
25.0 |
全工作温度范围 |
3.5 |
- |
30.0 |
|
释放点 磁感应强度(BRP) |
TA=25℃ |
5.0 |
- |
20.0 |
全工作温度范围 |
2.5 |
- |
25.0 |
|
回 差 (BH) |
TA=25℃ |
2.0 |
5.5 |
- |
全工作温度范围 |
2.0 |
5.5 |
- |
极限参数
参 数 |
符号 |
量 值 |
单位 |
电源电压 |
VCC |
4.5~24 |
V |
输出截止态电压 |
VO |
不限 |
V |
输出电流 |
IO |
25 |
mA |
工作环境温度 |
TA |
-40~85 |
℃ |
贮存温度 |
TS |
-55~150 |
℃ |
电特性 TA=25℃
参 数 |
符号 |
测试条件 |
量 值 |
单位 |
||
最小 |
典型 |
|
||||
电源电压 |
VCC |
VCC=4.5V~24V |
4.5 |
- |
24 |
V |
输出 低电平电压 |
VOL |
VCC=4.5V ,VO=24V IO=25mA,B≥ BOP |
- |
100 |
400 |
mV |
输出漏电流 |
IOH |
Vo=24V, B<BRP |
- |
<1 |
10 |
μA |
电源电流 |
ICC |
VCC=24V, VO开路 |
- |
5.5 |
9.0 |
mA |
输出上升时间 |
tr |
VCC=12V RL=820Ω CL=20Pf |
- |
0.2 |
2.0 |
μS |
输出下降时间 |
tf |
- |
0.18 |
2.0 |
μS |
磁特性 单位:mT
参 数 |
型 号 及 量 值 |
|||
CS3144E |
||||
最小 |
典型 |
|
||
工作点 磁感应强度(BOP) |
TA=25℃ |
7.0 |
- |
25.0 |
全工作温度范围 |
3.5 |
- |
30.0 |
|
释放点 磁感应强度(BRP) |
TA=25℃ |
5.0 |
- |
20.0 |
全工作温度范围 |
2.5 |
- |
25.0 |
|
回 差 (BH) |
TA=25℃ |
2.0 |
5.5 |
- |
全工作温度范围 |
2.0 |
5.5 |
- |
特点: dzsc/19/1863/19186338.gif 超小型封装尺寸 (SS30AT)可允许使用于紧凑的印刷电路板空间 dzsc/19/1863/19186338.gif 小型封装尺寸 (SS40A、SS40AT)允许用于较大空间的印刷电路板上 dzsc/19/1863/19186338.gif 响应南北极交互变化的磁场,适用于速度传感和转速测量 dzsc/19/1863/19186338.gif 坚实的设计和内置反极性保护装置,简化了安装并在安装时免遭器件损坏 dzsc/19/1863/19186338.gif 内置热平衡电路,提供全温度范围内的稳定运行 dzsc/19/1863/19186338.gif 符合 RoHS 2002/95/EC 材料符合指令 潜在应用: 交通运输 dzsc/19/1863/19186338.gif 速度和转速 (RPM)测量 dzsc/19/1863/19186338.gif 转数计、计数器 dzsc/19/1863/19186338.gif 马达和风扇控制 dzsc/19/1863/19186338.gif 电动车辆控制 dzsc/19/1863/19186338.gif 自动天窗位...
特点: dzsc/19/1863/19186343.gif 超小型封装尺寸 (SS30AT)可允许使用于紧凑的印刷电路板空间 dzsc/19/1863/19186343.gif 小型封装尺寸 (SS40A、SS40AT)允许用于较大空间的印刷电路板上 dzsc/19/1863/19186343.gif 响应南北极交互变化的磁场,适用于速度传感和转速测量 dzsc/19/1863/19186343.gif 坚实的设计和内置反极性保护装置,简化了安装并在安装时免遭器件损坏 dzsc/19/1863/19186343.gif 内置热平衡电路,提供全温度范围内的稳定运行 dzsc/19/1863/19186343.gif 符合 RoHS 2002/95/EC 材料符合指令 霍尔传感器简介 霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种,这一现象是霍尔(A.H.Hall,1855-1938)于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应,而半导体的霍尔效应比金属强得多,利用这现象制成的各种霍尔元件,广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数...