| 价 格: | 面议 | |
| 品牌/型号: | MIC/7805 | |
| 是否提供加工定制: | 是 | |
| 产品类型: | 稳压管 | |
| 是否进口: | 否 | |
| 主要参数: | vo,△VV,,△Vi,IBb,,△Ib | |
| 用途: | 用78/79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少,电路内部还有过流、过热及调整管的保护电路,使用起来可靠、方便,而且价格便宜 | |
| 备注: | 与稳压IC并联组成集成稳压电路时,应保证参数一致。 | |
| 材料: | 硅Si |
参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 值 | 单位 |
输出电压 | Vo | Tj=25℃ | 4.8 | 5.0 | 5.2 | V |
|
| 5.0mA<1o<1.0A,Po<15W Vi=7.5v to 20v | 4.75 | 5.00 | 5.25 | V |
线性调整率 | △Vo | Tj=25℃,Vi=7.5V to 25V |
| 4.0 | 100 | mV |
|
| Tj=25℃,Vi=8V to 12V |
| 1.6 | 50 | mV |
负载调整率 | △Vo | Tj=25℃,lo=5.0mA to 1.5A |
| 9 | 100 | mV |
|
| Tj=25℃,lo=250mA to 750mA |
| 4 | 50 | mV |
静态电流 | IQ | Tj=25℃ |
| 5.0 | 8 | mA |
静态电流变化率 | △IQ | lo=5mA to 1.0A |
| 0.03 | 0.5 | mA |
|
| Vi=8V to 25V |
| 0.3 | 0.8 | mA |
输出电压温漂 | △Vo/△T | lo=5mA |
| 0.8 |
| mV/ ℃ |
输出噪音电压 | VN | f=10Hz to 100KHz,Ta=25℃ |
| 42 |
| μV |
纹波抑制比 | RR | f=120Hz,Vi=8V to 18V | 62 | 73 |
| dB |
输入输出电压差 | Vo | lo=1.0A,Tj=25℃ |
| 2 |
| V |
输出阻抗 | Ro | f=1KHz |
| 15 |
| mΩ |
短路电流 | 1SC | Vi=35V,Ta=25℃ |
| 230 |
| mA |
峰值电流 | 1PK | Tj=25℃ |
| 2.2 |
| A |
特点:耐压高、开关速度快安全工作区宽应用:节能灯电子镇流器电子变压器开关电源封装形式:TO-220额定值(TC=25℃)参数名称符号额定值单位集电极-基极电压VCBO700V集电极-发射极电压VCEO400V发射极-基极电压VEBO9V集电极电流IC12A集电极耗散功率PC100W工作温度Tj150℃贮存温度Tstg-65-150℃ 电特性(TC=25℃)参数名称符号测试条件最小值值单位集电极-基极截止电流ICBOVCB=700V 100μA集电极-发射极截止电流ICEOVCE=400V,IB=0 250μA集电极-发射极电压VCEOIC=10mA,IB=0400 V发射极-基极电压VEBOIE=1mA, IC=09 V集电极-发射极饱和电压VCESIC=5.0A,IB=1.0A 1.0VIC=8.0A,IB=1.6A 1.5IC=12A,IB=3.0A 3.0发射极-基极饱和电压VBESIC=5.0A,IB=1.0A 1.5V电流放大倍数hFEVCE=5V,IC=1 0A8 VCE=5V,IC=5.0A1040 VCE=5V,IC=8.0mA8 贮存时间tsVCC=250V,IC=5IBIB1=IB2=1A 3.5μS下降时间Tr 0.8
特点:耐压高、开关速度快安全工作区宽应用:节能灯电子镇流器封装形式:TO-92额定值(TC=25℃)参数名称符号额定值单位集电极-基极电压VCBO500V集电极-发射极电压VCEO400V发射极-基极电压VEBO9V集电极电流IC0.5A集电极耗散功率PC7W工作温度Tj150℃贮存温度Tstg-65-150℃电特性(TC=25℃)参数名称符号测试条件最小值值单位集电极-基极截止电流ICBOVCB=500V 100μA集电极-发射极截止电流ICEOVCE=400V,IB=0 250μA集电极-发射极电压VCEOIC=10mA,IB=0400 V发射极-基极电压VEBOIE=1mA, IC=09 V集电极-发射极饱和电压VCESIC=0.05A,IB=0.01A 0.5VIC=0.1A,IB=0.021A 1.0IC=0.3A,IB=0.1A 3.0发射极-基极饱和电压VBESIC=0.1A,IB=0.02A 1.5V电流放大倍数hFEVCE=5V,IC=1 mA8 VCE=5V,IC=20 mA1040 VCE=5V,IC=200 mA8 贮存时间tsVCC=250V,IC=5IBIB1=IB2=0.04A 2.0μS下降时间Tr 0.8