供应单项可控硅
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/型号： | 单向可控硅C106D | |
| 极性： | 二极可控硅 | |
| 电流容量： | 大功率可控硅 | |
| 控制方式： | 普通可控硅 |
| ?产品类别：4A 单向可控硅-SCRs |
| ?产品性能：Thyristors logic level |
| ?工业型号：C106D (摩托罗拉型号/安森美型号) |
| ?封装外形：TO-126 (126半塑封，TO-225AA) |
| ?管脚排列：K-A-G (K-Cathode；A-Anode；G-Gate) |
| ?电流/IT(RMS)：≤4 A (ITSM: ≤20 A ；IT(AV): ≤2.5 A) |
| ?电压/VDRM：≥400V |
| ?触发电流/IGT：Gate trigger current (VD=12V；IT=0.1A) |
| 15～200 ?A (中间值～值) (微安) |
| ?触发电压/VGT： 0.4～1.5 V (Gate trigger voltage) |
| ?门极散耗功率：0.5W (Average gate power dissipation) |
| ?工作温度/Tj：-40~ 110°C (储存温度: -40~ 150℃) |
| ?器件品牌：KKG（Haohai Electronics） |
| ?包装规格：袋装，每包250PCS，每盒5KPCS |
| ?供应状况：现货供应 |
详细信息：
“深圳市浩海电子有限公司”长期稳定优势供应
2011年全新原装产品，无铅环保产品
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BTA08-600C双向可控硅
信息内容：产品类别：8A四象限绝缘型双向可控硅工业型号：BTA08-600C封装形式：TO-220AB电流/IT(RMS)：≥8 A 电压/VDRM：≥600V触发电流/IGT：IGTⅠ(T2 G )：≤25 mA（象限）IGTⅡ(T2 G-)：≤25 mA（第二象限）IGTⅢ(T2-G-)：≤25 mA（第三象限）IGTⅣ(T2-G )：≤50 mA（第四象限）触发电压/VGT：＜1.3 V门极散耗功率：1 W工作温度/Tj：-40~ 110°C(储存温度-40~ 150℃)器件品牌：ST、KKG（同时供应）包装规格：管装，每管50pcs，每盒1Kpcs 一盒/1K起出货，原包装无零散数量时不拆零库存状况：现货供应电话：0755-29955080-823QQ:1797738797联系人：戴先生
BT131-600D双向可控硅
信息内容：产品类别：小电流双向可控硅 工业型号：BT131-600D 封装形式：TO-92 电流/IT(RMS)：≥1 A 电压/VDRM：≥600V 触发电流/IGT：IGTⅠ(T2 G )：＜5 mA（象限）IGTⅡ(T2 G-)：＜5 mA（第二象限）IGTⅢ(T2-G-)：＜5 mA（第三象限）IGTⅣ(T2-G )：＜10 mA（第四象限） 触发电压/VGT：0.7～1.5V 门极散耗功率：0.1W 工作温度/Tj：-40~ 110°C(储存温度-40~ 150℃) 器件品牌：KKG（HAOHAI ELECTRONICS） 包装规格：袋装，每包1Kpcs，每盒10Kpcs 一盒/10K起出货，原包装无零散数量时不拆零 库存状况：现货供应（接受订货/可长期供应）电话：0755-29955080-823QQ:1797738797联系人：戴先生
