线性传感器，隧道电磁阻（TMR）线性传感器芯片
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMLD47F MMLH45F MMLP57F MMLP57H MMLS43F | |
| 品牌/商标： | MDT |
欢迎来到多维科技，我司的目标是通过为客户提供高质量的产品与服务，不断满足客户的需求，为客户创造更多的价值。客户的需求就是我们的使命，您的满意就是我们的成功！
我司新推出四款型号线性传感器，欢迎来电咨询：电话：0512-56319303 联系人：张先生
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图片 |
名称 |
简介 |
| dzsc/19/1816/19181669.jpg |
MMLP57H隧道磁电阻芯片 |
隧道磁电阻(TMR) 技术；高灵敏度：3 mV/V/Oe；低功耗 |
| dzsc/19/1816/19181669.jpg |
MMLP57F隧道磁电阻芯片 |
隧道磁电阻(TMR) 技术；高灵敏度：6 mV/V/Oe；低功耗 |
| dzsc/19/1816/19181669.jpg |
MMLH45F隧道磁电阻芯片 |
隧道磁电阻(TMR) 技术；高灵敏度：12 mV/V/Oe；低功耗 |
| dzsc/19/1816/19181669.jpg |
MMLD47F隧道磁电阻芯片 |
隧道磁电阻(TMR) 技术；超宽动态范围；高灵敏度：6 mV/V/Oe |
下面是四款型号传感器介绍：
1． MMLP57H隧道磁电阻芯片线性传感器性能参数
(VCC = 1.0 V, TA = 25 °C)
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参数 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
值 |
单位 |
|
工作电压 |
VCC |
|
|
1 |
5 |
V |
|
工作电流 |
ICC |
|
|
5(2) |
|
μA |
|
电阻值 |
R |
|
|
200(3) |
|
kOhm |
|
灵敏度 |
SEN |
在±30 Oe范围拟合 |
|
3 |
|
mV/V/Oe |
|
动态范围 |
|
|
|
±70 |
|
Oe |
|
线性范围 |
|
非线性度<1% |
|
±30 |
|
Oe |
|
失调电压 |
VOQ |
|
|
±2.5 |
|
mV/V |
|
磁滞 |
Hys. |
在±30 Oe范围拟合 |
|
0.1 |
|
%FS |
|
失调电压温漂 |
VOT |
H = 0 Oe |
|
±0.005 |
|
mV/V/°C |
|
灵敏度温度系数 |
|
|
|
-0.1 |
|
%/°C |
|
使用温度 |
TA |
|
-40 |
|
125 |
°C |
|
频率响应 |
FCUT |
|
DC |
20 |
|
MHz |
注：
(1) 1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。
(2) ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。
(3) 阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。
2． MMLP57F隧道磁电阻芯片线性传感器性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出)
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参数 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
值 |
单位 |
|
工作电压 |
VCC |
|
|
1 |
5 |
V |
|
工作电流 |
ICC |
|
|
10(2) |
|
μA |
|
电阻值 |
R |
|
|
100(3) |
|
kOhm |
|
灵敏度 |
SEN |
在±30 Oe范围拟合 |
|
6 |
|
mV/V/Oe |
|
动态范围 |
|
|
|
±70 |
|
Oe |
|
线性范围 |
|
非线性度<1% |
|
±30 |
|
Oe |
|
失调电压 |
VOQ |
|
|
±5 |
|
mV/V |
|
磁滞 |
Hys. |
在±30 Oe范围拟合 |
|
0.1 |
|
%FS |
|
失调电压温漂 |
VOT |
H = 0 Oe |
|
±0.01 |
|
mV/V/°C |
|
灵敏度温度系数 |
|
|
|
-0.1 |
|
%/°C |
|
使用温度 |
TA |
|
-40 |
|
125 |
°C |
|
频率响应 |
FCUT |
|
DC |
20 |
|
MHz |
注：
(1) 1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。
(2) ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。
(3) 阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。
3. MMLH45F隧道磁电阻芯片线性传感器性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出)
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参数 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
值 |
单位 |
|
工作电压 |
VCC |
|
|
1 |
5 |
V |
|
工作电流 |
ICC |
|
|
12.5(2) |
|
μA |
|
电阻值 |
R |
|
|
80(3) |
|
kOhm |
|
灵敏度 |
SEN |
在±30 Oe范围拟合 |
|
12 |
|
mV/V/Oe |
|
动态范围 |
|
|
|
±50 |
|
Oe |
|
线性范围 |
|
非线性度<1% |
|
±15 |
|
Oe |
|
失调电压 |
VOQ |
|
|
±5 |
|
mV/V |
|
磁滞 |
Hys. |
在±30 Oe范围拟合 |
|
0.1 |
|
%FS |
|
失调电压温漂 |
VOT |
H = 0 Oe |
|
±0.01 |
|
mV/V/°C |
|
灵敏度温度系数 |
|
|
|
-0.1 |
|
%/°C |
|
使用温度 |
TA |
|
-40 |
|
125 |
°C |
|
频率响应 |
FCUT |
|
DC |
20 |
|
MHz |
注：
(1) 1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。
(2) ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。
(3) 阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。
4.MMLD47F隧道磁电阻芯片线性传感器性能参数 (VCC = 1.0 V, TA = 25 °C, 差分输出)
|
参数 |
符号 |
条件 |
最小值 |
典型值 |
值 |
单位 |
|
工作电压 |
VCC |
|
|
1 |
5 |
V |
|
工作电流 |
ICC |
|
|
12.5(2) |
|
μA |
|
电阻值 |
R |
|
|
80(3) |
|
kOhm |
|
灵敏度 |
SEN |
在±20 Oe范围拟合 |
|
6 |
|
mV/V/Oe |
|
动态范围 |
|
|
|
±70 |
|
Oe |
|
线性范围 |
|
非线性度<1% |
|
±20 |
|
Oe |
|
失调电压 |
VOQ |
|
|
±5 |
|
mV/V |
|
磁滞 |
Hys. |
在±20 Oe范围拟合 |
|
0.1 |
|
%FS |
|
失调电压温漂 |
VOT |
H = 0 Oe |
|
±0.01 |
|
mV/V/°C |
|
灵敏度温度系数 |
|
|
|
-0.1 |
|
%/°C |
|
使用温度 |
TA |
|
-40 |
|
125 |
°C |
|
频率响应 |
FCUT |
|
DC |
20 |
|
MHz |
注：
(1) 1 Oe (Oersted) = 1 Gauss in air = 0.1 millitesla = 79.8 A/m。
(2) ICC = VCC/R, 工作电流随工作电压呈线性关系变化。
(3) 阻值可以选择，详情请咨询江苏多维科技有限公司。
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1. 服务电话：0512-56366222
2. 电话：0512-56319303 联系人：张先生
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- 联系人： 张先生
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- 传真：0512-56366200
- 手机：
- QQ ：
供应重庆线性传感器，现货原装重庆线性传感器|供货质量稳定
信息内容：江苏多维科技有限公司主营范围：TMR磁传感器芯片（包括线性传感器、角度传感器、开关传感器、金融磁头、电流传感器等）及其应用解决方案。 线性传感器的特性参数 标称阻值：电位器上面所标示的阻值。 重复精度：此参数越小越好。 分辨率：位移传感器所能反馈的最小位移数值.此参数越小越好.导电塑料位移传感器分辨率为无穷小。 允许误差：标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差，它表示电位器的精度。允许误差一般只要在±20%以内就符合要求，因为一般位移传感器是以分压的方式来使用，具体电阻的大小对传感器的数据采集没有影响。 线性精度：直线性误差.此参数越小越好。 寿命：导电塑料位移传感器都在200万次以上。 线性传感器的通常用的有两种细分方法 其一、直接细分。在相差1/4莫尔条纹间距的位置上安放两个光电元件，可得到两个相位差90o的电信号，用反相器反相后就得到四个依次相差90o的交流信号。同样，在两莫尔条纹间放置四个依次相距1/4条纹间距的光电元件，也可获得四个相位差90o的交流信号，实现四倍频细分。其二、电路细分。 公司介绍 江苏多维科技有限公司是...
供应徐州角度传感器，原装徐州角度传感器|性能参数
信息内容：江苏多维科技有限公司是一家创新型的高科技公司，由多位欧美留学归国博士创办，提供基于先进的第四代磁传感技术——隧道磁电阻（TMR）的磁性感应芯片及其相关的应用解决方案，该芯片可用于医疗、物联网、新能源、消费电子、工业控制、汽车电子、航空航天等领域。 参数: 极限参数 参数 符号 限值 单位 工作电压 VCC 6 V 存储温度 Tstg ...
