一、MMA243F传感器极限参数
工作电压 VCC 6 V
存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C
工作磁场 B 2000 Oe(1)
ESD (HBM) 4000 V
二、MMA243F传感器应用特点:
测量范围广(10A~1000A)
温度特性好(-0.1%/℃)
测量精度高(0.1%/FS)
灵敏度高(6mV/V/Oe)
抗干扰能力强
成本低
处理电路简单
工作温度范围宽(-55℃~125℃)
三、MMA243F传感器性能参数
工作电压 VCC TA = 25°C 1 5 V
工作电流 ICC TA = 25°C 14(2) μA
电阻 R TA = 25°C 70(3) kOhm
输出范围 VOUT TA = 25°C 800 mV/V
偏移电压(4) VOQ TA = 25°C ±5 mV/V
TCOV(5) Operating -0.1 %/°C
工作磁场 B Operating 60 400 Oe
角度误差 E Operating 1 Degree
使用温度 TA Operating -40 125 °C
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一、MMA243F隧道磁电阻传感器性能参数 工作电压 VCC TA = 25°C 1 5 V 工作电流 ICC TA = 25°C 14(2) μA 电阻 R TA = 25°C 70(3) kOhm 输出范围 VOUT TA = 25°C 800 mV/V 偏移电压(4) VOQ TA = 25°C ±5 mV/V TCOV(5) Operating -0.1 %/°C 工作磁场 B Operating 60 400 Oe 二、MMA243F隧道磁电阻传感器特点: 抗干扰能力强 成本低 -3dB带宽宽 测量范围广(1A~1000A) 温度特性好 测量精度高(0.1%/FS) 工作温度范围宽(-55℃~125℃) 三、MMA243F隧道磁电阻传感器工作原理 在MMA243F芯片上表面放置一小块磁铁,通过旋转,该磁铁可以在平行于MMA243F芯片表面的任意方向产生磁场。MMA243F中的TMR传感器主要由两磁性层组成,一层是“钉扎层”,磁化方向不受外加磁场影响,另一层是“自由层”, 受外加磁场磁化并平行于外加磁场。由于隧道磁电阻效应,电阻值随钉扎层和自由层磁化方向夹角成正余弦关系变化,所以当外加磁场角度变化时,传感器的输出电压波形呈正余弦曲线。 心动不如行动,赶紧拿起您手中的电话,选择我们的产品,只有您的满意,才是我们的宗旨!!! 欢迎广大新老顾客来...
一、MMA243F双轴角度传感器概述 在角度传感器的应用场合下,在MMA243F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场,芯片输出与磁场角度成正弦和余弦关系的电压信号。 MMA243F采用两个独特的推挽式惠斯通电桥结构设计,每个惠斯通电桥包含四个高灵敏度TMR传感元件,使得其输出信号的峰峰值可达工作电压的80%,从而省去了许多应用中所需要的外部信号放大处理电路。此外,独特的TMR惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。MMA243F性能优越,采用超小型LGA8封装形式,尺寸仅为3.0 mm 3.0 mm 0.95 mm。 二、MMA243F双轴角度传感器应用介绍: 被测磁场平行于TMR元件灵敏方向,磁环聚集了被测电流产生的磁场,在缺口处,TMR元件感应到该磁场,使二次线圈产生电流和磁场,二次线圈又反作用于磁环,使磁环内等效场为零。TMR支撑着整个应用的磁场平衡。在该应用中,TMR元件可直接替代现行的hall闭环式电流传感器内的hall元件。 性能比较: Hall TMR 灵敏度 0.1mV/V/Oe 6mV/V/Oe 线性度 2% 0.4% 温度系数 大 小 三、MMA243F双轴角度传感器特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 超大输出信号,无需信号放大 超低功耗 超高频率响应 >20 MHz 优...