供应非接触式电位器MMA243F传感器，双轴角度传感器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMA243F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、MMA243F传感器极限参数
工作电压 VCC 6 V
存储温度 Tstg -50 ~ 150 °C
工作磁场 B 2000 Oe(1)
ESD (HBM) 4000 V
二、MMA243F传感器应用特点：
测量范围广（10A~1000A）
温度特性好（-0.1%/℃）
测量精度高（0.1%/FS）
灵敏度高（6mV/V/Oe）
抗干扰能力强
成本低
处理电路简单
工作温度范围宽（-55℃~125℃）
三、MMA243F传感器性能参数
工作电压 VCC TA = 25°C 1 5 V
工作电流 ICC TA = 25°C 14(2) μA
电阻 R TA = 25°C 70(3) kOhm
输出范围 VOUT TA = 25°C 800 mV/V
偏移电压(4) VOQ TA = 25°C ±5 mV/V
TCOV(5) Operating -0.1 %/°C
工作磁场 B Operating 60 400 Oe
角度误差 E Operating 1 Degree
使用温度 TA Operating -40 125 °C
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供应超大输出信号传感器，MMA243F隧道磁电阻传感器
信息内容：一、MMA243F隧道磁电阻传感器性能参数 工作电压 VCC TA = 25°C 1 5 V 工作电流 ICC TA = 25°C 14(2) μA 电阻 R TA = 25°C 70(3) kOhm 输出范围 VOUT TA = 25°C 800 mV/V 偏移电压(4) VOQ TA = 25°C ±5 mV/V TCOV(5) Operating -0.1 %/°C 工作磁场 B Operating 60 400 Oe 二、MMA243F隧道磁电阻传感器特点： 抗干扰能力强 成本低 -3dB带宽宽 测量范围广（1A~1000A） 温度特性好 测量精度高（0.1%/FS） 工作温度范围宽（-55℃~125℃） 三、MMA243F隧道磁电阻传感器工作原理 在MMA243F芯片上表面放置一小块磁铁，通过旋转，该磁铁可以在平行于MMA243F芯片表面的任意方向产生磁场。MMA243F中的TMR传感器主要由两磁性层组成，一层是“钉扎层”，磁化方向不受外加磁场影响，另一层是“自由层”， 受外加磁场磁化并平行于外加磁场。由于隧道磁电阻效应，电阻值随钉扎层和自由层磁化方向夹角成正余弦关系变化，所以当外加磁场角度变化时，传感器的输出电压波形呈正余弦曲线。 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们的宗旨！！！ 欢迎广大新老顾客来...
供应20 MHz传感器厂家，MMA243F双轴角度传感器
信息内容：一、MMA243F双轴角度传感器概述 在角度传感器的应用场合下，在MMA243F芯片上方放置一块磁铁以提供平行于芯片表面方向的工作磁场，芯片输出与磁场角度成正弦和余弦关系的电压信号。 MMA243F采用两个独特的推挽式惠斯通电桥结构设计，每个惠斯通电桥包含四个高灵敏度TMR传感元件，使得其输出信号的峰峰值可达工作电压的80%，从而省去了许多应用中所需要的外部信号放大处理电路。此外，独特的TMR惠斯通电桥结构有效地补偿了传感器的温度漂移。MMA243F性能优越，采用超小型LGA8封装形式，尺寸仅为3.0 mm 3.0 mm 0.95 mm。 二、MMA243F双轴角度传感器应用介绍： 被测磁场平行于TMR元件灵敏方向，磁环聚集了被测电流产生的磁场，在缺口处，TMR元件感应到该磁场，使二次线圈产生电流和磁场，二次线圈又反作用于磁环，使磁环内等效场为零。TMR支撑着整个应用的磁场平衡。在该应用中，TMR元件可直接替代现行的hall闭环式电流传感器内的hall元件。 性能比较： Hall TMR 灵敏度 0.1mV/V/Oe 6mV/V/Oe 线性度 2% 0.4% 温度系数 大 小 三、MMA243F双轴角度传感器特性 隧道磁电阻 ( TMR) 技术 超大输出信号，无需信号放大 超低功耗 超高频率响应 >20 MHz 优...
