供应汽车电子专用MMA153F单轴角度传感器，多维直销
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMA153F | |
| 品牌/商标： | MDT |
一、MMA153F单轴角度传感器特性
大的空气间隙
极高分辨率
低功耗
超高响应频率
大的输出信号
方向识别
超强抗干扰能力
二、单轴角度传感器应用特点：
测量范围广（1A~100A）
温度特性好（-0.1%/℃）
测量精度高（0.1%/FS）
灵敏度极高（12mV/V/Oe）
体积小
抗干扰能力强
工作温度范围宽（-55℃~125℃）
处理电路简单
三、单轴角度传感器优点：
响应频率高，可达GHz以上
精度高，灵敏度高、信噪比好、分辨率高、线性好、线性范围宽
功耗更低，电阻率大、工作电流小，工作电压低
温度稳定性好，工作温度范围宽，可达200摄氏度
体积小，工艺性好，便于与现有的半导体芯片工艺集成，与ASIC集成后可制作智能传感器磁耦合、非接触、抗干扰能力强、稳定性好，可在油污、灰尘、雨水等恶劣环境下工作
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供应MMA153F工业控制用传感器，MMA153F传感器
信息内容：一、隧道磁电阻（TMR）MMG系列芯片在磁性编码器的应用 MMA153F单轴角度传感器特性 大的空气间隙 极高分辨率 低功耗 超高响应频率 大的输出信号 方向识别 超强抗干扰能力 二、TMR器件及其制造工艺 TMR器件及其制造工艺要远比以上三层膜结构复杂，但是就磁性传感器的应用来讲，我们可以认为TMR传感器就是一个电阻，只是TMR传感器的电阻值随外加磁场值的变化，其阻值发生改变，并且这种改变对于氧化铝Al2O3可达30～50%，对于氧化镁MgO可达200%，因此其输出相当可观，灵敏度非常高．正是由于TMR的这些优点，TMR已经在硬盘磁头这一对工作稳定性等各项性能要求极高的高精技术领域取代GMR磁头,因此TMR的性能已经经受了最为严格的考验.而随着TMR磁性传感器的大规模应用,其优异的性能将随着其产业化的发展,而渗透到传感器行业方面和应用领域,为最终客户和传感器供应商创造更多的价值和提供更优的技术体验。由于TMR的优异性能，一方面将会为很多传感器应用领域提供全新的技术解决方案，另一方面，也为磁传感器生产企业提供了一个非常好的发展机遇。 三、工业控制用传感器应用特点： 测量范围广（300mA~5A） 温度特性好（-0.1%/℃） ...
供应消费电子用低功耗传感器，MMA153F角度传感器
信息内容：一、MMA153F低功耗传感器特性 大的空气间隙 极高分辨率 低功耗 超高响应频率 大的输出信号 方向识别 超强抗干扰能力 二、MMA153F低功耗传感器应用特点： 测量范围广（10A~1000A） 温度特性好（-0.1%/℃） 测量精度高（0.1%/FS） 灵敏度高（6mV/V/Oe） 抗干扰能力强 成本低 处理电路简单 工作温度范围宽（-55℃~125℃） 三、MMA153F低功耗传感器 基于电子的自旋效应，在磁性钉扎层和磁性自由层中间间隔有绝缘体或半导体的非磁层的磁性多层膜结构，由于在磁性钉扎层和磁性自由层之间的电流通过基于电子的隧穿效应，因此称这一多层膜结构称为磁性隧道结。这种磁性隧道结在横跨绝缘层的电压作用下，其隧道电流和隧道电阻依赖于两个铁磁层（磁性钉扎层和磁性自由层）磁化强度的相对取向。当磁性自由层在外场的作用下，其磁化强度方向改变，而钉扎层的磁化方向不变，此时两个磁性层的磁化强度相对取向发生改变，则可在横跨绝缘层的的磁性隧道结上观测到大的电阻变化，这一物理效应正是基于电子在绝缘层的隧穿效应，因此称为隧道磁电阻效应。 心动不如行动，赶紧拿起您手中的电话，选择我们的产品，只有您的满意，才是我们...
