FSC仙童MOS场效应管 FQPF6N60C 6N60 原装/拆机场效应管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/型号： | FAIRCHILD/仙童/FQPF6N60C | |
| 种类： | 结型JFET | |
| 用途： | MOS-ARR/陈列组件 | |
| 封装外形： | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料： | ALGaAS铝镓砷 | |
| 开启电压： | 22（V） | |
| 夹断电压： | 22（V） | |
| 跨导： | 22（μS） | |
| 极间电容： | 22（pF） | |
| 低频噪声系数： | 22（dB） | |
| 漏极电流： | 22（mA） | |
| 耗散功率： | 22（mW） | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 |
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管极性: N-Channel
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 2 Ohms
正向跨导 gFS（值/最小值） : 4.8 S
汲极/源极击穿电压: 600 V
闸/源击穿电压: /- 30 V
漏极连续电流: 5.5 A
功率耗散: 40 W
工作温度: 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220F
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
零件号别名: FQPF6N60C_NL
- 所属城市：广东 深圳
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信息内容：IR进口原装/散新场效应管 IRFPG40 IRFPG40PBFIR进口原装/散新场效应管 IRFPG40 IRFPG40PBF IRFPG40 IRFPG40PBF产品规格 数据列表 IRFPG40 产品相片 TO-247-3 产品目录绘图 IRFP Series Side 1IRFP Series Side 2 标准包装 500类别 分离式半导体产品家庭 FET - 单系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 1000V (1kV) 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 4.3A 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 3.5 欧姆 @ 2.6A, 10V Id 时的 Vgs(th)（） 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 120nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1600pF @ 25V 功率 - 150W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-247-3 供应商设备封装 TO-247-3 包装 管件 其它名称 *IRFPG40PBF
