晶振，石英晶振，石英晶体,进口晶振
| 价 格： | 0.14 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 品牌： | 进口晶振 | |
| 型号： | 进口晶振 | |
| 种类： | 晶振 | |
| 标称频率： | 7（MHz） | |
| 调整频差： | 56（MHz） | |
| 温度频差： | 5（MHz） | |
| 总频差： | 65（MHz） | |
| 负载电容： | 65（pF） | |
| 负载谐振电阻： | 65（Ω） | |
| 激励电平： | 5（mW） | |
| 基准温度： | 5（℃） | |
| 插入损耗： | 6（dB） | |
| 阻带衰减： | 65（dB） | |
| 输入阻抗： | 5（kΩ） | |
| 输出阻抗： | 5（kΩ） |
1 电路结构
如图1 所示是晶振的整体电路.R1为反相器invl提供偏置,使其中的MOS管工作在饱和区以获得较大的增益;C1,C2和杂散电容一起构成晶体的电容负载, 同时它们和反相器invl一起可以等效为一负阻, 为晶体提供其振荡所需要的能量; R2用来降低对晶体的驱动能量, 以防止晶体振坏或出现异常; 反相器inv2对invl的输出波形整形并驱动负载.
图2 所示为晶体的等效电路,Cp是晶体两个引脚间的电容, 对于不同的晶体, 其值在2~ 5pf之间; Rs是晶体的等效串连电阻, 其值表示晶体的损失;Cs和Ls分别为晶体的等效串连电容和电感, 这两个值决定了晶体的振荡频率.
2 电路原理分析
图1 所示的晶振电路假如满足巴克豪林准则就可以振荡. 从负阻的角度来分析电路的工作原理.提供负阻的电路如图3(a)所示, 由反相放大器和表晶两真个负载电容构成.
M1可以替换图1中的invl,忽略沟道长度调制效应、体效应和晶体管的寄生电容. M1的漏电流即是(-I=/C1s)gm ,所
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信息内容：列表面贴装VCXO，采用引线封装时高度为0.185英寸，采用扁平封装时仅为0.15英寸，工作频率可在1～160MHz内选择，标准频率调整范围为±100ppm，线性度优于±10％，稳定度优于±25ppm/0～70℃，老化率为±2ppm/年，输出负载达10个LSTTL（单价达10美元以上）。 于1998年7月上市的单价2000日元的UCV4系列压控振荡器（VCO），面向全球移动通信系统（GSM）和个人数字蜂窝电话（PDC），可用频率范围为650～1700MHz，电源电压为2.2～3.3V，尺寸仅为4.8mm×5.5mm×1.9mm，体积为0.05?，重量0.12g。日本精工·爱普生公司利用ST切型晶片制作的声表面波（SAW）谐振器（Q≌2000），型号为FS－555，用4.8mm×5.2mm×1.5mm陶瓷容器包封，
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信息内容：1 电路结构如图1 所示是晶振的整体电路.R1为反相器invl提供偏置,使其中的MOS管工作在饱和区以获得较大的增益;C1,C2和杂散电容一起构成晶体的电容负载, 同时它们和反相器invl一起可以等效为一负阻, 为晶体提供其振荡所需要的能量; R2用来降低对晶体的驱动能量, 以防止晶体振坏或出现异常; 反相器inv2对invl的输出波形整形并驱动负载.图2 所示为晶体的等效电路,Cp是晶体两个引脚间的电容, 对于不同的晶体, 其值在2~ 5pf之间; Rs是晶体的等效串连电阻, 其值表示晶体的损失;Cs和Ls分别为晶体的等效串连电容和电感, 这两个值决定了晶体的振荡频率.2 电路原理分析图1 所示的晶振电路假如满足巴克豪林准则就可以振荡. 从负阻的角度来分析电路的工作原理.提供负阻的电路如图3(a)所示, 由反相放大器和表晶两真个负载电容构成.M1可以替换图1中的invl,忽略沟道长度调制效应、体效应和晶体管的寄生电容. M1的漏电流即是(-I=/C1s)gm ,所因此对于S=jw加, 此阻抗由一个即是-gm/(ClCZw2)的负电阻串连C1 和C2组成(图3(b))如图4 所示, 将表晶和放大器的偏置电阻置于M1 的栅漏两端就构成了前面所述的晶振电路,它可以等效为右边的串连谐振电路, 假如要维持电路振荡,必须保证Zc的实部也就是负阻...
