价 格: | 1.00 | |
品牌: | 滨松 OSI SILICONSENSOR OSI 亿光 OSRAM | |
型号: | 光电二极管 硅光电二极管 雪崩光电探测器 APD雪崩光电二极管 APD雪崩光电探测器 光电探测器 雪崩光电二极管 硅雪崩光电二极管 雪崩探测器 硅雪崩光电探 | |
种类: | 光学接收器件 | |
波段范围: | 雪崩探测器 硅雪崩光电探测器 硅光探测器 APD雪崩管 硅光电雪崩探测器 硅光电雪崩二极管 APD雪崩二极管 APD雪崩光电二极管 APD雪崩光电二极管 | |
运转方式: | 重复脉冲式 | |
激励方式: | 光泵式 | |
工作物质: | 半导体 | |
光路径: | 反射型外光路 | |
输出形式: | APD雪崩光电二极管 APD探测器 PIN光电二极管 光电APD探测器 雪崩探测器 PIN光电探测器 线阵探测器 PIN光电 硅APD | |
传输信号: | 图腾柱型 | |
速度: | 高速 | |
通道: | 双通道 | |
输出波长: | APD雪崩光电二极管 APD探测器 PIN光电二极管 光电APD探测器 雪崩探测器 PIN光电探测器 线阵探测器 PIN光电 硅APD PIN光电探测器(nm) | |
线宽: | PIN硅光电探测器 PIN光电二极管(mm) |
本公司经营滨松 SILICONSENSOR OSI 亿光 OSRAM 光电二极管 硅光电二极管 雪崩光电探测器 APD雪崩光电二极管 APD雪崩光电探测器 光电探测器 雪崩光电二极管 硅雪崩光电二极管 雪崩探测器 硅雪崩光电探测器 硅光探测器 APD雪崩管 硅光电雪崩探测器 硅光电雪崩二极管 APD雪崩二极管 APD雪崩光电二极管 APD雪崩光电二极管 APD探测器 PIN光电二极管 光电APD探测器 雪崩探测器 PIN光电探测器 线阵探测器 PIN光电 硅APD 质量保证,欢迎咨询洽谈。
特点:1. 对紫外线检测灵敏高2. 抗可见光干扰强3. 体积微小4. 使用寿命长2) 用途:1. 测试太阳光中的紫外线强度 (礼品、化妆品用具)2. 紫外线灯管的紫外线发生强度测试 (医疗器械或民用消毒碗柜的消毒效率检验)3) 简介WT-60 半导体紫外线传感器具有体积小、检测紫外线灵敏、低功耗、寿命长的特点,其检测紫外线的主要响应区域覆盖了长波紫外线 (UVA, 波段范围400 nm-315 nm) 和中波紫外线 (UVB, 波段范围 315 nm-218 nm ) 的波段范围。WT-60 半导体紫外线传感器是一种P-N 异质节光电二极管,是基于氮化镓宽禁带半导体材料制备而成的。氮化镓的禁带宽度约为3.4 电子伏,它不吸收可见光。该类传感器具有很强的可见光抗干扰特性,在检测紫外线时不需附加滤光片来抑制可见光。该器件在受到紫外线照射后能产生一定的电压输出信号,并且输出电压信号与紫外线照射强度成递增关系,因此该传感器可用于户外紫外线强度定性测量,也可用于一些紫外线发生产品的发光效率定性检验。该款传感器具有潜在的广大市场需求,其适合使用的人群非常广泛,包括长期从事户外工作的工程师、爱好旅游的人士、注重皮肤美白的女性以及需要携同出行的婴幼儿。由于其体积微小,传感器可以有机地整合在手...
产品类型PO @ IF = 100mA (mW) minVF@ IF=100mA (V) max发射角@ 半强度(度)波长 (纳米) 6.00 1.7 16 940 5.40 1.7 16 940 1.50 1.7 16 940 3.50 1.7 16 940 5.40 1.7 16 940 1.50 1.7 16 940 12.0 1.8 16 880 9.0 1.8 16 880 10.5 1.8 16 880 1N6264CQX14CQX16LED55BLED55CLED56F5D1F5D2F5D3 产品类型PO @ IF = 100mA (mW) minVF@ IF=100mA (V) max发射角@ 半强度(度)波长 (纳米) 6.00 1.7 80 940 5.40 1.7 80 940 1.50 1.7 80 940 3.50 1.7 80 940 5.40 1.7 80 940 1.50 1.7 80 940 12.0 1.8 80 880 9.0 1.8 80 880 10.5 1.8 80 880 1N6265CQX15CQX17LED55BFLED55CFLED56FF5E1F5E2F5E3 美国光动首页