价 格: | 0.10 | |
批号: | 10 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 | |
种类: | 结型(JFET) | |
型号/规格: | IRF1407PBF | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
用途: | MW/微波 | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
封装: | TO-220 |
数据列表 IRF1407PbF
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 130A
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 7.8 毫欧 @ 78A, 10V
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 250nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 5600pF @ 25V
功率 - 330W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件