深圳厂家现货供应TYF晶振用于高端数控机床晶振49U 1.8432M
| 价 格： | 1.80 | |
| 加工定制： | 是 | |
| 品牌/商标： | TYF | |
| 型号/规格： | 49U | |
| 种类： | 晶振 | |
| 标称频率： | 1.8432（MHz） | |
| 调整频差： | 0.000020（MHz） | |
| 温度频差： | 0.000030（MHz） | |
| 总频差： | 0.000050（MHz） | |
| 负载电容： | 18（pF） | |
| 负载谐振电阻： | 200（Ω） | |
| 激励电平： | 100（mW） | |
| 基准温度： | 25（℃） |
石英晶体
石英(SiO2)由硅和氧两种元素组成。
切割角度和振动模式
根据不同用途，将石英晶棒按照特定的晶向切割成晶片，即可制成石英晶体。其振动切型、频率变化及其特性如图所示：
标称频率
该频率特指晶体元器件的性能指标，表示为MHz或KHz。
频率偏差
标称频率在一定温度（一般是25℃）下的允许偏差，表示为百万分之几（ppm）。
频率稳定性
稳定性是指标称频率在一定温度范围内的允许偏差，规定在25℃下，此项偏差为0，以标称频率的百万分之几（ppm）来表示。如前所述，这个参数与石英晶片的切角密切相关。
频率温度特性：
AT切厚度切石英晶体随切角变化的频率温度特性曲线。由于AT切频率温度特性等效于三次方程，因此在较宽的温度范围内有较好的频率稳定性。由于XY切型频率温度特性等效于二次方程。是一顶点横坐标在25℃，纵坐标为0，开口向下的抛物线，频率的稳定性受温度影响较大。
工作温度范围
石英晶体元器件在规定的误差内工作的温度范围。
储存温度范围
晶体在非工作状态下保持标准特性的储存的温度范围。
等效电路
一个产生主谐振频率的石英晶体可以表达为一个等效电路---一般包括一个由电感、电容和电阻组成的串联电路和一个与这个串联电路并联的电容，如图所示。在这里，C0为是静态电容，包括电极间的静态电容和端子间的杂散电容。
将石英晶体元器件视为一个电子和机械的振动系统时，L1和C1就是它的等效常数。由于这两个常数取决于切型、切角、晶片尺寸和电极结构等因素，并且可以反复调整，故而石英晶体元器件的精度可以做得很高。
R1表示振荡损耗，受切割方式、装联方式、晶片形状和晶片尺寸的控制。
"
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 王立民
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
深圳厂家现货供应天乙福星晶振用于窃听器贴片晶振7050 10MHZ
信息内容：深圳市天乙福星电子有限公司是一家生产和销售石英晶振的公司，主要以插件49S和贴片7050 6035 5032 3225 2520 2016的系列为主，随着科技的发展和器件的小型化的发展的要求，7050 6035等产品已经停产或少量生产，主要以3225为主导产品，慢慢过度到2520和2016等型号。 公司在华强广场设有展柜Q2A262电话82765491 13600163936. QQ 494164006欢迎来电，石英谐振器QUARTZ CRYTAL RESONATOR10.000MHz1盒型 HOLDER TYPE SMD70502标称频率NOMINAL FREQ10.000MHz3振动模式 MODE OF OSC基频4调整频差 FREQ.STABILITY±20PPM5温度频差 FREQ.TOLERANCE ±30PPM6谐振电阻 RESONATE RESISTOR70Ω7工作温度 OPERATING TEMP-10~ 60℃8负载电容 LOAD CAP18PF9激励功率 DRIVE LEVEL 100 µ W10静电容 SHUNT CAP ≤7.0PF11绝缘电阻 INSULATION R ≥500MΩ（100VDC）12漏气率 LEAKING R 2*10-8ATM.CC/SEC13年老化率 AGING ±3PPM/YEAR
深圳厂家现货供应天乙福星晶振应用于网络交换机晶振49S 10。00M
信息内容：深圳市天乙福星电子有限公司是一家生产和销售石英晶振的公司，主要以插件49S和贴片7050 6035 5032 3225 2520 2016的系列为主，随着科技的发展和器件的小型化的发展的要求，7050 6035等产品已经停产或少量生产，主要以3225为主导产品，慢慢过度到2520和2016等型号。公司在华强广场设有展柜Q2A262电话82765491 13600163936. QQ 494164006欢迎来电， HC-49S 石英晶体谐振器 1．产品编码：SAF3B3-20-10.000 2．相关电气技术指标参数 2.1标称频率10.00MHz2.2振动模式AT/FUNDAMENTAL2.3调整频差（At 25℃）±20ppm2.4温度频差(-20℃～ 70℃)±30ppm2.5工作温度范围-20℃～ 70℃2.6储存温度范围-40℃～ 85℃2.7静电容(C0)7pF max2.8负载电容(CL)20PF2.9等效电阻(ESR)60Ωmax2.10激励功率0.1mw max2.11绝缘电阻 500MΩmin At DC/100V 15V2.12老化率±3ppm/year max
